简介：SiO_2thinfilmscontainingSi_(1-x)Ge_xquantumdots(QDs)arepreparedbyionimplantationandannealingtreatment.Thephotoluminescence(PL)andmicrostructuralpropertiesofthinfilmsareinvestigated.ThesamplesexhibitstrongPLinthewavelengthrangeof400—470nmandrelativelyweakPLpeaksat730and780nmatroomtemperature.Blueshiftisfoundforthe400-nmPLpeak,andtheintensityincreasesinitiallyandthendecreaseswiththeincreaseofGe-dopingdose.Weproposethatthe400—470nmPLbandoriginatesfrommultipleluminescencecenters,andthe730-and780-nmPLpeaksareascribedtotheSi=OandGeOluminescencecenters.

简介：研讨激光测距仪的信噪比和激光发散角如何选取最佳值的问题.如果信噪比为SNR,激光发散角为θt,则取SNRθt2最小时的信噪比和激光发散角为最佳值.

简介：本刊讯近年来，用光学方法处理微波和毫米波信号引起了广泛关注。相对于传统纯粹电学微波电路，微波光子学滤波器具有很多优点，比如低损耗、宽带宽、抗电磁干扰、可调谐以及重构性比较好等。它可以直接在光域里对微波或者毫米波信号进行处理，能够融合到光纤通讯系统和光学光纤网络中。