简介:散热问题已成为电子设计者面前的最大挑战之一,研究开发导热性好并且与铜箔(铜线路)间有较好的粘结强度和刚度的绝缘层材料对HDI电路板的应用具有重要意义。随着2008年欧盟RoHS指令的逐步开始实施,现有电子元器件含溴阻燃体系逐渐禁用,因此无卤2W导热率导热膜开发意义重大。
简介:本文介绍了一种适应于无铅焊料的电子电路基板,是在传统的环氧树脂和酚醛树脂类固化剂组合成的新型树脂中,加入能遏制树脂组成物热膨胀的无机填料而制成的。研发者研究了该基板中添加的无机填料的种类、形状、分类,包括填料的添加量、粒径大小、分散性等,获得了减少由于低树脂流动性及高钻孔加工磨损性所带来的不良影响,确保了这类基板材料的高耐热性和附着性,并且可实现与普通FR-4同等的除钻污性。上述开发产品与传统基板材料制成的电子线路基板相比,热分解温度降低了20℃,铜箔剥离强度提高了0.1kN/m,热膨胀率减少了6×10^-6/℃,即使在温度循环试验中也具有优异的绝缘性和的导通可靠性。且除钻污性时也可用通用的工序进行加工。
简介:采用熔融玻璃净化技术研究了三元Fe35Cu35Si30合金的液相分离与枝晶生长特征。实验获得的最大过冷度为328K(0.24TL)。结果表明,合金在深过冷条件下具有三重凝固机制。当过冷度小于24K时,α-Fe相为初生相,凝固组织为均匀分布的枝晶。过冷度超过24K之后,合金熔体分离为富Fe区和富Cu区。在过冷度低于230K的范围内,FeSi金属间化合物为富Fe区的初生相;当过冷度高于230K时,Fe5Si3金属间化合物取代FeSi相成为富Fe区的初生相。随着合金过冷度的增加,FeSi相的生长速率逐渐升高,而Fe5Si3相的生长速率将逐渐降低。在富Cu区,初生相始终为FeSi金属间化合物。能谱分析表明,富Fe区和富Cu区的平均成分均已严重偏离初始合金成分。
简介:目前高密度电阻率法所采用的数据处理方法主要是将地质结构体视为二度体进行二维处理,因而二维数据资料处理结果只是一种近似解释,其计算精度与反演效果达不到精确反演的要求。设计两种典型的电阻率异常地质体模型,利用有限单元法进行正演计算。为更真实地模拟实测数据并分析二维、三维反演算法对噪声的敏感度,在正演剖面中加入1%的高斯随机误差,然后再分别利用最小二乘法进行高密度电阻率法二维、三维反演。对比二维和三维高密度电阻率法的反演水平切片及垂直切片图可知,三维反演受高斯随机误差的影响更小,反演结果在模型异常位置、形态和电阻率特性反映上都比二维反演的效果更好,与实际地质模型更接近。
简介:采用原位电阻率测试和透射电镜观察研究Al—0.96Mg2Si合金的析出行为及其对电阻率的影响。发现峰值时效的析出相包括β"和β',而他们的比例随着时效温度和时间的改变而变化。合金在175℃峰值时效内的析出相主要是针状β"相(也包括pre-β")。这些析出相会随着时效时间的延长而长大,但是进一步延长时效时间至超出峰值时效时间后,析出相的尺寸变化并不显著。合金电导率的变化规律与之类似。合金硬度峰值时效后,继续时效很长一段时间硬度变化都不显著。由于温度是影响β"β’比的主要因素,因此时效温度也是影响电阻率的主要因素。时效温度越高β"/β’的比值越小,△p下降的速度就越快。硬度也随着该比值的减小而降低。通过对透射电镜照片分析获得析出相的分布参数,建立了析出相与电阻率之间的半定量关系式。