简介：基于镍的复合的层被阳极化在五分钱板上准备在一75?wt%H3PO4答案包含NH4F。这层然后被galvanostatic控告/解除(GCD)对待直到黑外部层被分开，留下象为supercapacitors的没有文件夹的电极材料的镍板上的一部电影。这部电影由Ni组成的微结构描述表演(哦)2和NiO，和没有氟化物在同样获得的电影被发现。电气化学的测试证明这个没有氟化物的电影电极展出954的一个高电容?F圆形的二色性(CD)系列和polyacrylamide胶化电气泳动(页)。当聚合物支架和金属建筑群作为催化活跃中心工作了，BSA服务了。当到BSA的转变金属离子建筑群的有约束力的比率是5:1时，结果证明BSA的结构仍然保持未改变。而且，清除superoxide一？？

简介：Vanadiumnitridewassynthesizedbyone-stepmethodusingV2O5andcarbonblackasrawmaterialsinnitrogenatmosphere.ThephasesofdifferentreactionproductspreparedindifferentreactiontemperatureswereanalyzedbyX-raydiffraction(XRD),andthedynamicbehavioroftheprocessofsynthesizingvanadiumnitride(VN)byone-stepmethodwasstudiedwithnon-isothermalthermogravimetry.Themechanismfunctionandkineticparametersofreactionprocesswerecalculatedbythermalgravimetricanalyses(TGA),andthereactionrateequationwasestablished.TheXRDresultsshowthatforthesamplestestedwithminimalVNafterholdingfor4hat1273K,themainphaseofproductsisVNat1476K,whilesomevanadiumnitridestransformintovanadiumcarbidesagainover1573K.ItisfoundthatN2isbeneficialtostimulatereductionandproceedcarbonizationreaction,andthereductionandnitridationreactioncanoccursimultaneously.TheactivationenergyofpreparingVNbyone-stepmethodis104.005kJ·mol-1,andthefrequencyfactoris470.52at1280–1358K,and150.052kJ·mol-1and2.359104at1358–1426K,respectively.

简介：与spintronics的发展，在二维的材料的氧的行为上的调查从来没停止过。由于它的活泼的性质，氧是难的在系统独自存在。然而，它将与另外的原子交往并且生产复杂轨道的杂交效果，它影响了材料的表演。特别为在nanoscale的材料，介绍氧原子是不可避免的，不管什么在准备的过程或采用。因此，在二维的薄电影关于氧行为的效果继续研究是必要的。在这篇论文，它将主要在磁性，电的性质，阶段转变，纺纱依赖者性质和热稳定性上介绍氧行为的效果，总结影响氧行为的几个因素，并且概括在氧行为后面的机制的研究进步。

简介：Al-Cu-Mg-Ag-Zr合金的微观结构和性质上的打断的多步老化的效果被学习由张力，坚硬，电的电导率测试和传播电子显微镜学(TEM)。打断的多步老化与一步舞老化相比推迟了山峰老化时间并且当增加时，保留了T6脾气合金的象那些的坚硬，电的传导性，最终的张力的力量(UTS)，收益力量(YS)和延伸的一样的层次破裂坚韧尤其是。阶段和一些阶段在160硥瑡?在一步舞老化的过程同时猛抛并且成长????????湡楤慤???ì

简介：ＥｆｆｅｃｔｏｆＴｗｏ－ｔｉｍｅｓＡｎｎｅａｌｉｎｇｏｎＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＴｉＮｉＳｈａｐｃ－ｍｅｍｏｒｙＡｌｌｏｙＺｈａｎｇＪｉｎｂｏ，ＳｕｎＸｕ，ＷａｎｇＦｕｓｈｅｎｇａｎｄＨｅＹｏｎｇｊｉａｎ（张金波（孙序）（王福生）（何勇健）...

简介：MoS_2,MoSe_2andWSe_2thinflakeswerefabricatedbythestandardmicromechanicalcleavageprocedures.ThethicknessandtheopticalcontrastoftheatomicthindichalcogenideflakesonSiO_2/Sisubstratesweremeasuredbyatomicforcemicroscopy(AFM)andspectroscopicellipsometer.Arapidandnondestructivemethodbyusingreflectionspectrawasproposedtoidentifythelayernumberof2DlayeredtransitionmetaldichalcogenidesonSiO_2(275nm)/Sisubstrates.Thecontrastspectraof2DnanosheetswithdifferentlayernumbersareinagreementwiththeoreticalcalculationsbasedonFresnel'slaw,indicatingthatthismethodprovidesanunambiguousandnondestructivecontrastspectrafingerprintforidentifyingsingle-andfew-layeredtransitionmetaldichalcogenides.Theresultswillgreatlyhelpinfundamentalresearchandapplication.