简介:采用声化学法研究Zn掺杂对氧化镉纳米结构生长过程的影响.纳米颗粒的X射线衍射(XRD)谱表明,所制备的CdO样品为立方结构.场发射扫描电子显微镜(FESEM)图像显示,样品用Zn原子掺杂时,其形貌发生变化,粒度变小.利用室温光致发光(PL)和紫外?可见光谱(UV-Vis)分析技术研究样品的光学性质,结果表明,不同的发射带由不同的跃迁引起,CdO能带隙由于掺杂而增大.对纳米结构电学性质的研究表明,Zn掺杂导致光生载流子密度提高,从而使得纳米结构的导电性提高,光照射纳米结构所产生的光电流亦增大.根据本研究的结果,Zn掺杂可以改变CdO纳米结构的物理性质.
简介:对发生在2018年内在我国的印制电路板及其基板材料业的新开工投建、新扩建项目破土动工,作以梳理、盘点,并且对此发展特点作了分析。
简介:对发生在2018年内在我国的印制电路板及其基板材料业的新投建、新扩建项目破土动工,作以梳理、盘点,并且对此发展特点作了分析。
简介:结合预制件一次性模压成型和真空气压浸渗技术制备具有双层结构的高体积分数(60%~65%)、可激光焊接Sip-SiCp/Al混杂复合材料。该复合材料的组织结构均匀、致密,增强相颗粒均匀地分布在复合材料中,Sip/Al-SiCp/Al界面均匀、连续、结合紧密。性能测试表明,Sip-SiCp/Al混杂复合材料具有密度低(2.96g/cm^3)、热导率高(194W/(m·K))、热膨胀系数小(7.0×10^-6K-1)、气密性好(1.0×10^-3(Pa·cm^3)/s)等优异特性。焊接试验表明,Sip-SiCp/Al混杂复合材料具有良好的激光焊接特性,其焊缝平整、致密,微观组织均匀,没有生成明显的气孔和脆性相Al4C3。同时,Sip-SiCp/Al混杂复合材料激光封焊后优异的气密性(4.8×10^-2(Pa·cm^3)/s)能够满足现代电子封装行业对气密性的严格要求。
简介:241{supleft}Ammigrationinasandyaquiferstudiedbylong-termcolumnexperiments;Asearlyaspossible-asquicklyaspossible-asexactlyaspossibleWaterdosagerequirementsforthecompleteusedsandtreatment;Calculationofrefreshingmoldingsandbyanycomponent;Clad-PericlaseCoreSand;Claysandhumiditycontrol;