简介：Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，器件和制程又可与SL工艺兼容，采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管（HeterojunctionBipolarTransistor，HBT），其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平，而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索，在总结大量数据的基础上，验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时，文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

简介：喷墨打印阻焊剂自研发以来，因树脂油墨剪切变稀和触变性等特点，一直不能有效解决阻焊剂喷墨初始阶段稳定性问题。对此，本研究以BoltornH2O为原料，合戍了一种超支化丙烯酸化合物，在与TMP3EOTA及UV固化剂混合后，可以获得稳定性好的阻焊油墨，在光源照度1w／cm2条件下固化速度低于20S，固化膜的热分解温度超过300℃，阻焊膜的其他性能符合IPC—SM-840C和CPCA4306—2011等相关标准。

简介：提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式，并保持输出逻辑电平不变，而当输入端有相同的逻辑值时，C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转（SEU）效应或单粒子传输（SET）效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器，以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性，一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟，以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10％以内。

简介：为了充分利用信号在时间上的冗余性,尽可能降低信号不确定性带来的影响,将DS证据理论引入到灰色航迹关联过程中,对局部节点每一时刻观测样本之间的灰关联度集合给出一个信任测度,然后利用DS组合规则对各时刻观测样本的信任度进行合成,得到信任度更高的结果,从而提升航迹正确关联率。仿真试验结果证明该算法性能明显优于单纯的灰色航迹关联算法。

简介：针对雷达辐射源识别问题，建立了基于云模型和信息融合的识别系统。利用云模型对区间型参数和离散型参数建模，计算被测辐射源的隶属度并将其作为基本概率赋值，运用时域和空域信息融合算法完成辐射源识别，给出了辐射源识别算法步骤，并建立了相应的辐射源识别系统，仿真结果表明所提出的识别算法和所建系统是有效的，并且识别率较高。

简介：实践理论（PracticeTheory）诞生于上世纪七八十年代，是社会学和文化理论的一个创新。近年来，一些学者尝试着将实践理论应用于信息系统和组织研究中，并提出了一些颇有开创性的倡议，但到目前为止，似乎尚未出现里程碑式的成果。