简介：针对基于能量收集的无线传感器网络,研究了参数估计时功率分配问题。首先,在收集能量因果性限定条件下,为传感器节点在不同估计周期内功率分配建立系统模型,随时间进行多次估计,使得平均估计误差最小化;然后,建立了随机能量收集模型,并在未知估计周期内能量收集状况下,基于Lyapunov优化算法提出了不同周期内功率分配算法;最后,仿真结果表明该算法降低估计误差效果良好。

简介：英飞凌科技股份公司壮大现有的CoolMOS技术产品阵容，推出600VCoolMOSP7和600VCoolMOSC7Gold（G7）系列。这两个产品系列的击穿电压高达600V，具备更出色的超结MOSFET性能。它们可在目标应用中实现非常出色的功率密度。

简介：主要针对某款C波段大功率T/R组件的小型化进行研究。通过对T/R组件的电路与结构的分析与设计,制作了发射功率大于100W、接收通道增益大于8dB、体积90mm×80mm×37mm的T/R样机,该项研究对高功率密度T/R组件的设计与研制具有一定的工程指导意义。

简介：英飞凌科技股份公司进一步壮大其62mm封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62mm封装而得以实现。1200V阻断电压模块的典型应用包括：变频器、太阳能逆变器和不间断电源（UPS），1700V阻断电压模块则适用于中压变频器。

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

简介：燃气轮机是典型的高新技术密集型产品。作为高科技的载体它的发展集新技术、新材料、新工艺于一身的燃气轮机产业，是国家高技术水平和科技实力的重要标志之一，具有十分突出的战略地位。

简介：德州仪器（TI）推出两款新型器件，有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。当两者结合使用时，DRV832x无刷直流（BLDC）栅极驱动器和CSD88584／99NexFET电源模块只需占用511mm。的电路板空间，仅为其他同类解决方案的一半。

简介：Qorvo推出满足LTE2级功率要求的RF前端产品组合，也称作高性能用户设备（HPUE）。集成QorvoRFFE设备的智能手机可兼具高频段频谱的速度与容量优势和中频段频谱的覆盖范围优势。

简介：锐迪科微电子（以下简称“RDA”）近日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM射频功率放大器芯片（以下简称“PA”）以来，RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验，RDA的GSMPA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中，RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。

简介：华虹半导体与上海晟矽微电子股份有限公司（晟矽微电）近日联合宣布，基于95nm单绝缘栅一次性编程MCU（95nmCE5VOTPMCU）工艺平台开发的首颗微控制器（MicroControllerUnit，MCU）（产品型号MC30P6230）已成功验证，即将导入量产。