简介：功控电路又称自动功率控制电路(APC)，以克服移动通讯中远端对近端的干扰。它和功放单元密不可分，根据功放输出大小自动调节电路增益，形成功率放大控制环路，其基本控制结构包括取样、整流、滤波、比较器等元件。在日常维修中笔者发现，在不更换射频IC、功控集成块的前提下，通过对取样电阻、功控电阻阻值的代换，可对发射关机、发射难等常见故障进行应急维修。下面具体分析这种应急代换维修法，希望与广大维修爱好者共同交流。

简介：LinearTechnology公司生产的六路电源监控器件LTC2908可为多电源电压系统提供精确的电压跟踪和监控，并可通过一个公共复位输出端来对系统的六路电源的过压和欠压进行复位操作。LTC2908的应用电路十分简单，仅需要几个电阻和电容便可对多路电源电压进行监控。

简介：介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。

简介：TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。

简介：旧金山电路总裁AlexDanovich近日介绍了他的无边界电路板——一项新的增值印制电路板服务。旧金山电路现在能够提供其客户任何电路板的解决方案，从而得名无边界电路板。旧金山电路现在在提供给客户的PCB技术和服务上不受限制，无论客户需要单还是双面的FR4电路板，或者该技术盲孔和埋孔电路板，还是刚柔性电路板，他们都可以通过联系旧金山电路获得。

简介：<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%～54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器

简介：本文介绍了几种集成电路物工艺中高精度电阻和电容的制作方法.

简介：低温共烧陶瓷（LowTemperatureCo-fireCeramic——LTCC）技术,具有可集成无源电阻的独特优势。LTCC基板集成电阻主要有两种方式,表层电阻和内埋电阻。主要讨论了LTCC基板内埋电阻的制备工艺。针对不同的电阻材料,设计了不同工艺。最终为不同电阻的制备提出了一种优化的工艺,使得LTCC内埋电阻的精度控制范围可达到±17%。

简介：目前市场上越来越多的客户要求进行低电阻高绝缘的电子测试,这类PCB中,部分PCB线路不单是导线同时还是信号线,线路的阻值变化会造成信号的延滞和衰减,引发功能性问题。本文主要介绍了孔电阻的测试原理,通过对影响孔阻值变化的因素进行分析验证,并逐个分析论证,最终定位问题根源之所在。

简介：文章介绍了一种新型放大器--线性光放大器的产生的背景,工作原理,并通过与当前几种热门光放大器做比较,进一步说明它在下一代网络中的优势.

简介：在集成电路设计中，可将承担静电放电保护、电平转换、电路驱动等功能的电路组合成接口电路，通过对接口电路的可靠性设计来提高集成电路的可靠性。从电路设计、版图设计、封装设计等设计阶段的特点出发，阐述了各阶段可靠性设计的内容，并总结了一些设计要点和设计准则，提出了可采用接口电路、封装、PCB三者协同设计的方法，以提高接口电路的可靠性。

简介：文章通过对多晶薄膜的性质和多晶电阻形成工艺的稳定性研究，剖析在生产过程中三种形成多晶电阻主要工艺的波动情况，并对形成工艺波动的原因和控制方法进行了讨论。同时对于采取控制方法以后的多晶电阻的工艺情况进行分析，证明提高多晶电阻制造工艺稳定性必须提高多晶淀积和离子注入工艺能力，以及如何提高多晶淀积和离子注入的受控。最后对采取控制措施后的多晶电阻的改善效果进行回顾，说明离子注入工艺采取除气和多晶淀积隔片放置方式有效地提高了多晶电阻工艺的稳定性。

简介：提出一种新的IGBT闭环变电阻驱动策略来增强开环变电阻策略的实用性,并改善开通/关断特性。该策略通过检测IGBT集电极电流变化率（di/dt）与电压变化率（dv/dt）,对正常开通/关断过程中门极电阻的切换进行闭环控制,在保证IGBT安全工作、防止产生较大电磁干扰的前提下,加快IGBT开关速度并减小开关损耗。最后通过仿真验证了该策略的可行性。

简介：

简介：在高速光通信系统中,接收端收到的光信号脉冲强度随通信距离、光纤损耗等因素变化,因此需要检测平均光电流,以确定接收端光功率,对应调整放大器增益,实现不同通信距离情况下光信号的高速接收,避免放大器饱和或者增益不足的情况。提出一种光接收电路中平均光电流检测电路的设计。通过运放钳位光电二极管阴极和采样电路,实现对平均光电流的采样与输出。为克服随机失调对采样精度带来的影响,在运放设计中采用了OOS[1](输出失调存储,OutputOffsetStorage)技术,通过采保电路存储输出失调电压,并对应产生失调电流补偿输出失调电流,实现了失调电压的消除,保证了电流采样精度。所提出的平均光电流检测电路采用0.18μmCMOS工艺进行设计。测试结果表明,在1.25Gbps的通信速率下,实现了7.5%的平均光电流采样精度。

简介：本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。1.数模混合电路(MS-MixedSignal)和射频电路(RF-RadioFrequency)中的主动元件和被动元件。数模混合电路和射频电路中的CMOS电路必须与logic电路相兼容。其主动元件或称有源元件(ActiveDevices)主

简介：首先介绍了多晶电阻在线监控和工艺控制模块（PCM）监控的两种方法：四探针法和范德堡法，并解决了四探针法在线监控方法多晶电阻波动大的问题；针对生产过程中遇到的多晶电阻偏小问题，通过扫描电镜分析发现多晶晶粒明显偏大，通过对多晶淀积速率的分析确定多晶速率越小，多晶淀积晶粒越大，根据多晶导电理论可知多晶晶粒大，晶粒间界变小，晶粒间界杂质俘获变少，多晶掺杂浓度转化为载流子的比例变高，因此多晶电阻变小。最后根据工程实践列举了影响多晶淀积速率的两大主要因素为多晶淀积温度和多晶炉管维护次数，为保证多晶淀积速率稳定，多晶炉管维护次数尽量少于6次，同时需要对多晶淀积温度进行控制。

简介：在模拟电路的设计中，经常会用到一种特殊的夹层电阻，但是关于该电阻的相关介绍较少。文章提出了一种夹层电阻的结构，对其原理进行了详细的分析，在此基础上，利用该夹层电阻，设计了一款支持宽工作电压范围的振荡器。最后，又对该振荡器进行优化改进，使其能适应3～30V的宽工作电压，并且在5．5～30V范围内保持输出频率不变，进一步阐述了该夹层电阻的原理和特性。

简介：文章对0．5μm／40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用，N阱电阻的寄生效应不可忽略，所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性，并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础，用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型、此模型适用于各类仿真器，具有一定的通用性.

简介：随着PCB功能化和高性能化发展，高频高速PCB、高散热PCB、埋阻埋容PCB等高端精细产品已经逐步被业界所熟知，PCB的发展呈现出多样化，为此，本文阐述了通过在PCB上设计并控制精准的线宽与铜厚公差，来实现既定布线长度精准电阻的控制。