简介：采用大面积半绝缘型GaN（semi—insultingGaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明，晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触，探测器在600V偏压下暗电流低于400pA，电荷收集效率高于40％，探测器脉冲响应时间在ns量级。
简介：高速气体流动属于典型的非线性问题，因对高速气体流动问题的实验测量存在极大困难，故计算机模拟成了重要的辅助手段。通过计算机模拟，分析颗粒填充物的影响特点，从而初步认识自流式充氢过程的规律性。
电流型GaN辐射探测器研制
多孔介质对自流式充氢影响的数值模拟
