简介：O471.598010628多孔硅反射谱的测量与分析=MeasurementandanalysisoftheopticalreflectancespectraofPS[刊,中]/晃战云,徐伟弘,唐洁影,汪开源(东南大学.江苏,南京(210096))//固体电子学研究与进展.—1997,17(1).—50—54测量多孔硅的光反射谱,并进行了分析和讨论,得出了其能带展宽等特性。利用K—K关系,计算得出了多孔硅的折射率n等光学常数,并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析。图6参3(李瑞琴)

简介：O47296032017ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究=Astudyonstructureandgas-sensitivecharacterofZnO/SnO2bilayerfilm[刊,中]/娄向东（河南师范大学化学系.河南,新乡（453002））,沈荷生,沈瑜生（中国科技大学材料科学与工程系.安徽,合肥（230026））//传感技术学报.-1995,（2）.-20-23将SnO2及ZnO粉末压制成靶材,采用溅射法制备了ZnO/SnO2双层薄膜,用XPS,XRD、SEM等手段对制得的薄膜进行分析测试,发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在,双层膜中锌、锡有一定的相互扩散,比较了单层SnO2及ZnO膜与双层膜的气敏特性,结

简介：半导体桥火工品与桥丝火工品相比具有以下优点：不发火能量散布精度高，安全性高；作用时间比桥丝快1～2个数量级，同步性好：防射频、抗静电、抗杂散电流的性能好；可采用微电子延期电路控制延期时间，延期精度高；可与复杂数字电路组合，接受特定编码信号的控制；可实现自动化大批量生产，从而可提高产品的一致性，降低生产成本。因此，发展半导体桥火工品对于提高低输入能量火工品的安全性、可靠性、同步性、工艺一致性以及降低发火能量、与数字逻辑电路组合等具有重要意义。

简介：本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。

简介：根据面电流在空间某点的磁场公式和场强叠加原理,求出了截面为矩形的无限长载流柱面空间磁场分布的普遍表达式。

简介：裂纹是结构组件中最具危险性的缺陷，在表面裂纹被探出后，对断裂分析和构件修复来说裂纹深度测试是非常重要的实际问题。电位法检测裂纹深度的原理是基于电位探针理论，当被测量金属表面两点间有裂纹存在时，其两点间电阻比无裂纹表面的电阻高。其特点是仅需从试件的一侧进行测量而不受背面条件的限制，适用于一切导电试件，且由于趋肤效应的存在，使交流电位法的测量精度较直流电位法高。

简介：在物理实验中,将半导体激光器作为光源的实验很多,但由于其光学性能取决于工作电流的大小与谐振腔的质量,所以了解其适用范围,对于指导教学活动是很有帮助的。

简介：针对非合作航天器的相对导航问题,提出了一种利用点云矩形面特征测量非合作航天器位姿的方法。首先从点云数据中提取矩形面;然后根据矩形面点云数据计算出点云分布矩阵,通过特征值分解求出相对位置和姿态,并解决了因矩形面对称而产生的多解问题;最后设计了卡尔曼滤波器,确定目标星与追踪星的相对位置参数以及目标星的姿态、角速度。仿真结果表明：相对位置的估计精度优于0.005m,目标星姿态精度优于0.1°,验证了该方法的有效性。

简介：依据光栅衍射原理,采用玻璃圆柱把半导体激光扩束成片光源,通过分光计测量激光光谱谱线的衍射角,测定半导体激光波长.这种方法操作简单实用,具有较高的测量精度.

简介：变化的磁场在导体内会引起涡电流。本文分析了磁体在导体管内下落这一现象，推导出磁体匀速下落的表达式，并介绍利用这一现象测量物体的一些物理量。

简介：研究了一类带有雪崩项半导体方程的瞬时情形，通过DeGiorgi迭代方法得到了弱解的最大模估计．

简介：散布由一个完美地进行的栅栏在同类的chiral环境宣传的飞机时间泛音电磁波被学习。这个问题被简化到一个二维的散布问题，并且答案的存在和唯一被一条不可分的方程途径讨论。

简介：不良导体导热系数的测量是大学物理实验热学部分一个非常重要的实验.目前该实验在实现手段上还存在一些不足,主要为实验装置的缺陷,本文针对实验装置的缺陷进行分析,并对实验装置进行重新设计.

简介：在架空多导体传输线高空核爆电磁脉冲（HEMP）响应建模计算中,研究了不同参数的选取对响应计算结果的影响。首先利用链参数矩阵法对110kV线路进行建模,在模型中将线路端接设备等效为一系列互相连接的电容,计算了不同电磁波入射角Ψ、地面电导率σg和线长L下的线缆末端的响应电压和响应电流,分别归纳分析了3个参数与线缆响应幅值之间的关系。结果显示,随着入射角的增大,线缆末端的响应幅值均呈现出先变大后变小的趋势,当Ψ约为1°-5°时,达到极大值;线路长度较短时,线路末端的响应幅值随长度的增长而变大,当线长超过一定值后,线路响应则不再随线长的增长而变大。

简介：介绍了微结构半导体中子探测器的原理,从微结构形式、制作工艺、理论模拟及实验研究等方面综述了微结构半导体中子探测器近年来的研究进展。可以看出,微结构半导体中子探测器结构、参数、中子转换材料填充密度及甄别阀大小等因素对中子探测效率有影响。微结构半导体中子探测器具有中子探测效率高、体积小、时间响应快、工作偏压低等优点,是替代^3He正比计数管的理想器件。

简介：在室温下，该种探测器的暗流达到微安量级，即使在现有最强的γ辐射源下，输出的电流也仅有微安量级，信噪比只能达到约为1。以前使用的PIN半导体探测器，其γ光子灵敏度仅用理论计算值，计算值的可靠性与精度需实验标定检验，成功标定的关键就是如何提高探测器输出的信噪比。由于条件的限制，以前没有实际标定过。现在，利用PIN半导体探测器的暗流与温度有关这一规律，采用半导体制冷器降低探测器环境温度实现降低暗流的目的。

简介：利用双晶单色器和精密二圆衍射仪，在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术，并用这一实验技术结合X射线衍射方法，研究了Si晶体中外延生长的起薄Ge原于层的微结构。实验结果表明，由于Ge原予的偏析，在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层，浓度平均值为x≈0.13；650℃退大会使Ge原予向表面扩散，Si晶体中的合金层消失，在晶体表面形成接近纯Ge的单原于层。

简介：应用光流线量子力学理论，分析了微盘激光器的腔模结构，为半导体微盘谐振腔的＂回廊耳语模＂~［７］（ＷｈｉｓｐｅｒＧａｌｌｅｒｙＭｏｄｅ）现象做出了理论解释，并对不同尺寸的微盘可能存在的模式做出了理论计算，为微腔激光器的设计。制作及输出光模式的预测提供了理论依据。

简介：运用配置法讨论两无限长平行圆柱形带电导体周围的静电场,导出其电势及导体表面的电荷面密度,计算两导体系统的单位长度电容

简介：随着用户对惯导设备温度环境适应范围的要求越来越高,对惯导设备温控技术水平也提出了更高要求.通过分析明确半导体自循环水冷系统是提升惯导设备温度环境适应能力的强有力手段之一.结合半导体制冷技术、水循环冷却技术以及有限元温度场仿真技术,给出了惯导设备半导体自循环水冷系统的结构方案形式和温度控制方案措施.结合实际惯导设备进行分析计算,验证了半导体自循环水冷系统在55℃的高环境温度下能对惯导设备内部核心部位的温度起到10℃以上的降温作用.