简介：基于功率MOSFET器件研制了一种能产生高压高速脉冲的发生装置.设计了由超高速运算放大器构成的宽频带放大器和MOSFET互补推挽驱动电路,分析了功率MOSFET器件的开关特性,并讨论了影响其工作速度及工作频率的因素.脉冲发生器输出脉冲幅值最高可达-500V,前后沿时间均小于5ns.脉冲宽度和频率根据输入触发信号进行调节,触发延迟小于30ns,触发抖动小于500ps.

简介：装置通过STM32系列单片机作为控制芯片,对电流大小进行控制。同时利用电路简单、精度高的传统恒流源电路,反馈电路和控制电路设计出可以通过蓝牙控制的磁场发生器。

简介：基于计算机串口通信和功率型金属氧化物半导体场效应晶体管，设计研制了程控产生单次快前沿负高压脉冲的信号发生器。其性能指标为高压脉冲幅度一100～-1000V，脉冲宽度40ns～2μs，脉冲前沿随脉冲幅度和宽度变化，可小于30ns，输出负载为50Ω作为一种模拟源，该高压脉冲信号发生器已用于小功率气体放电管的高压保护特性实验研究中。

简介：本文介绍一种发波水槽振荡发生器的制作。简单易做，工作稳定。

简介：利用任意波形发生器和功率放大器,提出了参数可变的超宽谱和窄谱模拟高功率微波脉冲产生方法,建立了模拟脉冲产生系统,产生的超宽谱模拟脉冲实现了谱形可控,谱参数和重复频率连续可调;窄谱模拟脉冲实现了脉冲前沿、宽度和重复频率连续可调。

简介：利用5V数字逻辑电路、多种高低压高速金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）及8路3级驱动电路，逐步提升MOSFET管的能力。利用输入触发信号控制产生具有一定时序关系的8路初级驱动信号，再经过次级驱动电路，提升为8路中高压驱动信号，加速输出级开关，产生高性能的双极性门控信号。该门控脉冲发生器工作电源电压为12V，输出电压为50～-200V，输出脉冲前后沿均为1．5ns，输出信号的脉冲宽度由输入信号控制调节，可在最小输出脉冲宽度3ns至直流信号之间变化。脉冲工作时，最大重频为3．3MHz，固有延迟为50ns，触发晃动小于0．2ns，体积为86mm×43mm×23mm。

简介：以单片机89S8252为核心，开发了一种可以远程控制的多路数字延迟脉冲发生器。其主要输出参数为：重复频率1～1000Hz可调，时间延迟0～60ms可调，精度分为1“s和0．1μs两种，发生器输出脉冲可以直接驱动多路可控硅，工作方式分为远程控制和外部触发两种。该发生器已用于高功率微波驱动源的控制中，抗干扰能力强，工作可靠。

简介：对基于磁开关Marx发生器的电路结构进行了改造,设计了一种能输出方波脉冲,且结构紧凑、原理简单的电路。对设计的这种输出功率达10GW的近方波Marx发生器进行了模拟研究。结果表明,所设计的脉冲发生器输出脉冲电压接近1MV,前沿约为20ns,半高宽为70ns,发生器全系统无需气体开关。从波形来看,输出脉冲平顶波动小于10%,能够满足实际应用需求。

简介：沿试验段侧壁发展的附面层是影响飞行器半模型实验数据精准度的主要因素之一．利用数值模拟方法验证了涡流发生器减小附面层影响的可行性，重点分析了安装角度、结构尺寸、安装位置及个数等设计参数对附面层内速度分布的影响规律，对涡流发生器尾涡强度以及沿流向的发展规律进行了初步探讨．结果表明，涡流发生器产生的尾涡能够有效改善附面层内的速度分布，进而减小附面层厚度，降低附面层影响；涡流发生器的后缘应略高于当地附面层厚度，安装角度、位置、个数等参数必须合理设计以减小涡流发生器对试验段主气流的影响．基于计算结果初步设计了可用于2．4m跨声速风洞半模试验段的涡流发生器，在亚声速范围内能够减小模型区侧壁附面层厚度66％左右，对核心流Mach数影响小于0．003，为涡流发生器的实际应用提供了依据．

简介：介绍了一种小型的高压纳秒脉冲发生器,该发生器的主要结构单元包括螺旋型多倍宽脉冲形成线和电晕火花开关。其中,螺旋型多倍宽脉冲形成线由Tesla外线和多段螺旋阶梯内线构成,阶梯线置于Tesla内磁芯的内部,结构紧凑;电晕火花开关有利于发生器的重频稳定工作。该发生器整体长度约630mm,形成线采用MIDEL7131合成酯介质,以5倍脉宽形成脉冲时可以输出23ns脉冲,波形前沿快,平顶好,输出脉冲电压约105kV,重频30Hz。

简介：采用三维CFD黏性模拟考察涡发生器对高超声速轴对称进气道外部流动的影响.针对前缘钝化半径0.8mm和3.2mm的轴对称进气道外部流场,以涡发生器高度与当地位移边界层厚度比值为影响参数,考察流场结构与性能参数的影响规律.结果表明,涡发生器产生的干扰波系使得前缘激波向外偏移,下游近壁面流动与主流区出现明显的交换,下游流动出现明显的展向非均匀性.涡发生器对流动的影响沿流向逐渐减弱.在气流压缩性能方面,涡发生器下游压比、动压比沿流向开始增大,随后逐渐恢复到无涡发生器工况;Mach数、总压恢复系数开始降低,随后逐渐向无涡发生器工况趋近.涡发生器高度与当地位移边界层厚度的比值h可作为衡量其影响的重要参数.当h≤1.5时,进气道流场结构、性能参数的变化几乎可忽略,h≤3.0时进气道入口处性能参数几乎能够恢复到无涡发生器工况.

简介：O437.12002053517有效倍频行为中相位匹配条件的适用范围=Limitsofapplicabilityofphase-matchingconditiononeffectivefrequencydoublingbehavior[刊,中]/赵珂(中科院安徽光机所.安徽,合肥(230031))//量子电子学报.—2001,18(4).—357-360基于晶体的离散原子结构状态讨论了有效倍频行为

简介：

简介：摘要随着经济社会的快速发展，在电力系统、工业生产、生活用电设备中，电力电子技术的应用日益广泛，但是这些电力电子装置极易产生谐波，影响了电力系统的高效运行和电力计量装置的准确计量。

简介：高功率激光系统中谐波转换后的三倍频光（3ω0，351nm）与剩余的基频光（1ω0，1053nm）和两倍频光（200，527nm）将共线传输，为实现300辐照靶面，需要解决三倍频谐波分离的问题。目前在实验中采用的三倍频谐波分离技术主要有楔形透镜分离和反射镜薄膜分离。楔形透镜对光产生色散，又要消像差，有一定的设计难度，并且加工技术要求很高，特别是在线调整.

简介：开灯做爱；不爱白天；浴室避孕；噩梦；晚间咖啡；

简介：锁相环路(PLL)是一个能够跟踪输入信号相位的闭环自动控制系统，具有载波跟踪特性，可以提取淹没在噪声中的信号。锁相环可分为全数字锁相和取样锁相环。其中取样锁相环为数模混合锁相环路，又可分为分谐波采样锁相环和分频式锁相环。分频式锁相环具有较高的稳定度、较低的相位噪声和易于集成等优点，而分谐波采样锁相环还可以提供更低的相位噪声，它们在通信技术中都有着广泛的应用。

简介：TN36696031906测量大气中SO2浓度的光学传感器及国产化=OpticalsensorsformeasuringairSO2concentrationanditsnationalization[刊,中]/孙金陵（郑州市环境保护监测中心.河南,郑州（450007））//仪器仪表与分析监测.-1995,（2）.-21-24介绍了国外SO2监测仪中的光学传感器的原理、结构和性能指标及国产化研究。该传感器的国产化对发展我国的环境大气自动连续监测有着重要意义。参1（方舟）

简介：数学探究学习首先是一种学习，主要表现为一种认知活动过程．它的发生起源于探究活动情境的作用．在一定的探究场所和新异的探究情境刺激下，学生会产生本能的探究欲望，这是数学探究学习发生所必不可少的构成要素，

简介：在高功率自由电子激光初级实验装置（CFEL）研究中，驱动激光直接照射光阴极而发射电子，其性能将在很大程度上决定注入器乃至整个自由电子激光实验系统的性能：如电子束微脉冲宽度、电子束微脉冲流强、电子束微脉冲峰值抖动等。文中针对CFEL初期研究目标（3～8μm）对光阴极注入器的要求，对光阴极RF腔注入器的驱动激光器进行了方案设计，提出了驱动激光器的参数要求。根据方案进行了工程实施，购置了锁模激光器和时间同步器，放大与倍频系统正在研制当中。