简介：At-hyperwheel(t≥3)oflengthl(orW(t)lforbrevity)isat-uniformhypergraph(V,E),whereE={e1,e2,...,el}andv1,v2,...,vlaredistinctverticesofV=∪eii=1lsuchthatfori=1,...,l,vi,vi+1∈eiandei∩ej=P,j∈/{i1,i,i+1},wheretheoperationonthesubscriptsismodulolandPisavertexofVwhichisdifferentfromvi,1≤i≤l.Inthispaper,theminimumcoveringproblemofMCλ(3,W(3)4,v)isinvestigated.DirectandrecursiveconstructionsonMCλ(3,W(3)4,v)arepresented.Thecoveringnumbercλ(3,W(3)4,v)isfinallydeterminedforanypositiveintegersv≥5andλ.

简介：全部的内部分区和(尖端)为~(12)在温度被计算直到6000KC~(16)O_2。用计算分区函数，我们生产ν_的线紧张~(12)的3乐队在几高温度的C~(16)O_2。结果证明计算的线紧张在在直到3000K的温度的HITRAN数据库的对那些的很好的同意，它在高温度为尖端和线紧张的计算提供强壮的支持。然后，计算被扩大推进高温度，和ν_的模仿的系列~(12)的3乐队在5000和6000K的C~(16)O_2被报导。

简介：旗传递t-设计的分类是代数组合学的一个重要课题．本文主要讨论了旗传递5-（v，k，3）设计．由P．J．Cameron和C．E．Praeger的结论可知，此时设计的自同构群是3-齐次群．本文利用3-齐次群的分类，证明了设计的自同构群不能是仿射型群．

简介：让(u?弈吗？？

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简介：借助于G03W程序包,对系列氨基羧酸分子的羰基铼配合物进行了结构优化,并对其中的相关能量、键长、键角、布局数等进行了研究.计算结果表明：各配合物相对于羰基铼中间体均具有一定的稳定性;配体分子结构中含有杂环或者较多数目杂原子时,有形成相对更稳定配合物的趋势;配体分子结构中应含有适宜的间隔体,否则需经较大的结构扭转或局部原子的拥挤方可形成相应配合物.

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简介：Theeffectofbismuth（Bi）forbothVO2+/VO2+andV3+/V2+redoxcouplesinvanadiumflowbatteries（VFBs）hasbeeninvestigatedbydirectlyintroducingBionthesurfaceofcarbonfelt（CF）.TheresultsshowthatBihasnocatalyticeffectforVO2+/VO2+redoxcouple.Duringthefirstchargeprocess,BiisoxidizedtoBi3+（neverreturnbacktoBimetalinthesubsequentcycles）duetothelowstandardredoxpotentialof0.308V（vs.SHE）forBi3+/BiredoxcouplecomparedwithVO2+/VO2+redoxcoupleandBi3+exhibitno（orneglectable）electro-catalyticactivity.Additionally,therelationshipbetweenBiloadingandelectrochemicalactivityforV3+/V2+redoxcouplewasstudiedindetail.2wt%Bi-modifiedcarbonfelt（2%-BiCF）exhibitsthehighestelectrochemicalactivity.Usingitasnegativeelectrode,ahighenergyefficiency（EE）of79.0%canbeachievedatahighcurrentdensityof160mA/cm2,whichis5.5%higherthanthepristineone.Moreover,theelectrolyteutilizationratioisalsoincreasedbymorethan30%.Eventhecelloperatedat140mA/cm2forover300cycles,theEEcanreach80.9%withoutobviousfluctuationandattenuation,suggestingexcellentcatalyticactivityandelectrochemicalstabilityinVFBs.

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简介：以CCD(电荷藕合器件)采集阵列像素器件的局部投影图像为基础,试验和分析了梯度算子、拉普拉斯算子、Sobd算子、Prewitt算子、方差函数和嫡函数评价方法在阵列像素器件大屏幕投影显示系统中自动对焦的作用及性能。实验表明,方差算子具有良好的稳定性和对噪声的不敏感性,调节效果较好,可以作为

简介：TN1412003032096电致变色写入显示器件=Electrochromicwritinganddisplaydevice[刊,中]/史永基(洛阳工业高等专科学校.河南,洛阳(471003)),史建军…∥液晶与显示.—2002,17(3).—205-208描述了电致变色写入和显示器件的结构、工作原理与实验结果,指出了这种新型电致变色器件的应用前景。

简介：TH741.5∥TN1412004032142三片式液晶投影仪的立体视觉研究=Researchonstereovisionof3blocksLCDprojeetor[刊。中]/刘效东(湖光星源光电技术有限责任公司.江苏,无锡(214028)).邱卫根…∥光学技术.—2003,29(6).—702-703,706基于对三原色信号进行偏振特性的分析,提出了一种

简介：Duetolowactivationcharacteristics,desirablehigh-temperaturestrength,goodresistancetoradiationdamageandusablefabricationproperties,vanadium(V)alloysareattractivecandidatestructuralmaterialsforfusionreactors[1].Irradiationinducedhardening/embrittlementatlowtemperatureisamajorproblemforthematerialsapplicationinfusionreactor[2].Inthisstudy,H/Heionswithvariousenergieswereusedtoirradiateapurevanadium(V)andaValloy(V-4Ti)toobtainadamageplateaufromsamplesurfacetothedepthof1.5m,asshowninFig.1[3].Thedetailsofirradiationparameters(energies,fluences)forHandHeionsareshowninTable1.NanoindentationwasperformedtoinvestigatethehardeningbehaviorofV-4TialloyandpureVunderirradiation.

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简介：AnewgeneralizedJacobiellipticfunctionmethodisusedtoconstructtheexacttravellingwavesolutionsofnonlinearpartialdifferentialequations(PDEs)inaunifiedway.Themainideaofthismethodistotakefulladvantageoftheellipticequationwhichhasmorenewsolutions.Morenewdoublyperiodicandmultiplesolitonsolutionsareobtainedforthegeneralized(3+1)-dimensionalKronig-Penny(KP)equationwithvariablecoefficients.Thismethodcanbeappliedtootherequationswithvariablecoefficients.

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简介：本文要证明不存在一个非平凡2-（v，k，3）对称设计，它的旗传递自同构群的基柱是^2F4（q2）

简介：ThecomplexK3H4GeW9V3O40·8H2OcrystallizedinamonocliiniesystemwithspacegroupP2,Mr=2784.67,a=11.099（3）,b=16.452（4）,c=13.534（4）,β=108.14°,Z=2,V=2348.493,F（000）:2456,μ=239.7cm-1,De=3.932g/cm3.ThefinalR=0.083for4528non-zeroreflexions.ThestructureofanionsGeW9V3O40andGeW9O34belongstoA--type.