简介：分析了LLC谐振参数对变换器性能的影响，总结出LLC谐振参数的图解法，能快速得到谐振参数的最优值。通过对磁芯窗口磁势和绕组电流的傅里叶分析，可以得到绕组排布的最优设计和导线线径的最优选取，使得绕组损耗最小。

简介：

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：作为一种新型的集成封装技术，低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性，小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术，其产品在封装和小型化方面具有明显优势；LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势，以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。

简介：简要介绍了真空电子器件辐射原理和数值模拟方法,给出了粒子模拟方法的研究进展.讨论了真空电子太赫兹源器件的特点及其对数值模拟方法的要求.给出了高功率微波源和太赫兹源器件的数值模拟算例.提出了用于真空电子源器件模拟的PIC方法的未来技术发展,包括动量能量守恒的粒子模拟方法、精确的几何和物理建模、阴极发射模型、有耗介质的处理和基于全局优化的器件设计方法等.

简介：从碳化硅（SiC）功率半导体器件的等效电路入手，分别讨论了碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）与碳化硅结型场效应功率晶体管（SiCJFET）的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题，设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明，SiC新器件具有良好的开关特性，驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。

简介：研究了光电集成器件的耦合与封装的关键技术,首先分析光纤与PLC波导的z向偏移及角度偏移与耦合效率的关系,发布其3dB容差分别为70μm及5°以内,并分析存在8°反射角及填充折射率匹配胶时耦合情况并仿真验证。该器件采用表面贴光子技术、无源对准、非气密封装实现光与电、有无源的多功能结合。测试了器件的激光器与探测器性能,测试结果表明,该光电集成器件边模抑制比、灵敏度等参量优良。

简介：华为近日在伦敦TNMO论坛（TransportNetworksforMobileOperatorsforum）上发布了一款针对城域网的新型光子集成器件（photonicintegrateddevice，PID）。华为这一新的PID方案采用了先进的调制格式和数字信号处理（DSP）技术，能够提供具备成本效益的大容量光纤传输，支持40G、100G、400G及更高传输速率。结合色散管理技术，

简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：随着塑封器件在武器系统中的使用越来越广泛，塑封器件在使用中也暴露出了一些问题，如塑封器件易打磨、翻新，内部易进入水汽产生爆米花效应或内部界面分层等。作者总结近几年塑封器件DPA试验中出现的各种失效，重点对塑封器件内部界面分层以及分层产生的原因、危害进行了论述。同时，论述了声学扫描显微镜检查对内部界面分层的辨别、原理及其相关试验标准等，提出了塑封器件在型号产品中的使用建议。

简介：<正>碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统,科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。全新科锐1200VMOSFET器件可提供业界领先的功率密度及转换效率,而每安培成本仅为上一

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：2013年7月10日消息，AllProgrammableFPGA、SoC和3DIC的全球领先企业赛灵思公司（Xilinx．Inc．（NASDAQ：XLNX））今天宣布，延续28nm工艺一系列行业创新，在20nm工艺节点再次推出两大行业第一：投片、半导体行业首款20nm器件，也足可编程逻辑器件（PLD）行业首款20nmAllProgrammable器件；发布行业第一个ASIC级可编程架构UltraScale^TM。

简介：“智能电网、特高压等技术可以走出去。——国家能源委员会专家咨询委员会主任、原因家能源局局长张国宝（中闰电力技术已经达到甚至超过发达国家，特别是中国的电网技术和电力设备可以在国际电力市场中有所作为，在某些电力需求稳定上升的地区可以输，

简介：上半年全国用电市场中速增长增速小幅回落；中电投扩容清洁能源板块;“十二五”国家电网将投资1300亿元发展新疆电网;神华接手国网能源装机6000万赶超中电投;川电外送电量连创新高2020年将解决消纳瓶颈

简介：《低压无功功率补偿投切装置标准》获批发布;《直流电源系统试验装置技术标准的研究》科技项目通过评审;安徽省电科院开展罐式断路器专项带电检测;黑龙江省电科院进军俄罗斯火电调试项目;重庆电科院完成新一代智能站二次设备入网检测