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简介：<正>00565ABalanced2WattCompactPHEMTPowerAmplifierMMICforKa-BandApplications/S.Chen,E.ReeseandK.S.Kong（TriQuintSemiconductor,USA）//2003IEEEMTT—sDigest.—847用TriQuint半导体厂的3次金属互连（3MI）0.25μm栅长PHEMT工艺设计和开发出一种Ka波段平衡小型功率放大器MMIC。这种100μmGaAs衬底平衡三级功率放大器的芯片尺寸为6.16mm2（2.8×2.2mm）,32GHz下1dB压缩点(P1dB)输出功率达

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简介：一、我国集成电路产业发展现状及存在的主要问题国务院18号文件颁布以来,我国集成电路产业规模、技术水平大为提升,特别是吸引外资和产品出口明显改观,产业进入了历史上最好的发展时期。目前,国内共有半导体企事业单位653家,其中设计企业367家,制造企业49家,封装测试企业108家,分立器件企业129家,全行业从业人员11.5万人。2002年全国集成电路产量96.3亿块,销售额268亿元。产业发展的主要特点是:

简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

简介：集成电路的发展过程中采用的最新技术有：纳米技术，片上系统技术(SOC)和浅沟隔离技术(STI)，这些新技术加快了集成电路的发展进程。

简介：1、第三代计算机集成电路的发明,在计算机史上具有划时代的意义。它的发明人罗伯特·诺伊斯于1927年12月出生在美国的一个小镇上。

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简介：《集成电路布图设计保护条例》已经2001年3月28日国务院第36次常务会议通过,现予公布,自2001年10月1日起施行。第一章总则第一条为了保护集成电路布图设计专有权,鼓励集成电路技术的创新,促进科学技术的发展,制定本条例。

简介：中国国内集成电路产值只能满足市场需求的近20％！目前中国集成电路（IC）产业已初步形成了设计业、芯片制造业及封装测试业三业并举、比较协调的发展格局，出现了长江三角洲、珠江三角洲和环渤海地区三个相对集中的产业区域，建立了多个国家集成电路产业化基地。芯片制造的工艺技术水平已进入国际主流领域，设计和封装技术接近国际水平。但是在全球集成电路产业中，中国仍然处于比较弱小的地位，落后于美国、欧洲。

简介：<正>我国第一个当代制造技术最高水平(12英寸、0.13微米)的超大规模集成电路生产线中芯国际北京项目于2002年9月29日正式启动。该项目总投资12.5亿美元,目前正在进行主体厂房和水、电、气等所有辅助设施建设,其中两个大型厂房和特种气体厂房于2003年年底封顶。2004年初开始设备安装,2004年6月开始试生产。

简介：中国集成电路产业发展现状2003年中国集成电路产业仍然呈现高速增长的势头,全年国内集成电路总产量达到131.4亿块,首次突破100亿块,同比增幅为39.3%.全行业共实现销售收入351.4亿元(折合为42.34亿美元),同比增幅为30.9%.全行业近三年发展状况见表1.

简介：集成电路是现代信息产业和信息社会的基础，是改造和提升传统产业的核心技术。随着全球信息化、网络化和知识经济浪潮的到来，集成电路产业的战略地位越来越重要，它已成为事关国民经济、国防建设、人民生活和信息安全的基础性、战略性产业。

简介：集成电路涉及了信息的获取、处理、显示、存储、传输和执行的全过程，是通向信息社会的铺路石，是构筑信息大厦的坚实基础。集成电路的生产过程包括开发工具、设计、制备、测试、封装等。技术预测信息通信领域专家组经过11次会议讨论，对集成电路的国内外现状和发展趋势、我国集成电路产业的差距等进行了深入研究，最后提出我国未来集成电路发展的重点和关键技术。

简介：集成电路产业是国民经济和社会发展的战略性高技术产业。为促进集成电路产业快速发展，国务院于2000年颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》(国发[2000]18号)，力争使我国发展成为全球重要的集成电路产业基地之一。

简介：据统计，2005年中国集成电路市场规模进一步扩大，达到3803亿元，比2004年的2908亿元增长31％。根据集成电路业权威机构ICInsights的测算，2005年中国集成电路市场销售额占全球1924亿美元的21％，中国已成为全球集成电路市场最大区域。国内大部分主流机构的研究报告均认为．这种美好的增长趋势在2006年将得以继续。

简介：短期内我国集成电路产品出口以加工贸易为主导的格局还将维持。

简介：阐述美国《国家半导体技术发展战略》中存储器的发展目标对其关键材料超纯水在水质和耗量降低上的要求。以我国8英寸/0.18微米和12英寸生产线和相关数据与其对照.表明在总有机碳、溶解氧等项水质参数巳可满足该发展要求，而在SiO2、微粒限定、检测技术以及超纯水耗量降低等方面尚有差距和问题，提出相应的解决方案，讨论了超纯水等项水资源消耗的降低途径。重申了水回收的意义，关注“功能水”和高效，省能的GDI（聚合型电去离子）装置将是有益的。

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