简介:在LaAlO3(001)、MgO(001)、SrTiO3(001)衬底以及SrTiO3(001)/PZT(001)种膜上用液相外延方法生长了PZNT薄膜。生长结果表明:在LaAlO3(001)基片PZNT晶粒以三维岛状自发生长。薄膜中有大量的焦绿石异相;在MgO(001)和SrlriO3(001)衬底上,为三维岛状异质外延生长。薄膜中焦绿石异相几乎消失;引入[001]取向的PZT种膜后,岛状三维生长变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了完整的PZNT膜。分析了衬底取向对紧邻层纳米尺寸范围的晶粒形成、薄膜晶粒的发育、克服薄膜中异相形成等的影响,总结了获得完整PZNT薄膜的生长条件。
简介:摘要当我国在1986年将回收锗镓的工艺应用到工业生产之后,我们的工业中采取全萃法进行回收锗镓这一问题就得以解决了。但是在协同萃取锗的时候,想要反萃取锗却是一个难题。在我们的工业生产中,曾经有两种锗的反萃剂得到了使用。第一种方法是用HF作为反萃剂,可以得到较高的反萃率。但是这个方法有一定的缺点。比如反萃取液体会有毒,强腐蚀性等,这些都是不可忽视的缺点。第二种方法就是用氨水和(NH4)2SO4作为反萃液,它也有相应的缺点锗的反萃率比较低,只有50%左右。但是这个方法和前一种方法相比,是无毒的,腐蚀性很小,而且操作的流程简单。所以这种方法还是有一定的实用性的。综合上述两种方法来看,如果想在实际工业生产中连续性的萃取锗的话,这两种方法的操作和结果还是不太让人满意的。
简介:本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法,在Si(100)基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜,第二步是利用H2SO4:CrO3的饱和溶液对样品进行处理,再用H2O2:NH4OH(1:1)溶液冲洗干净,处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明,薄膜厚度达60μm,纯度很高,并且在整个面积上是均匀的。