简介：MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。新的E系列器件采用VishaySiliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新款8VN沟道Trench-FET功率MOSFET—SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm×2mm的热增强型PowerPAK?SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ2、10·5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低导通电阻。导通电阻数值比前一代方案最多低18%,比2mm×2mm占位面积的最接近的N沟道器件最多低64%。

简介：安森美半导体推出8款新型N沟道和P沟道、低压沟道MOSFET，进一步丰富了其业内领先的沟道技术器件系列。这些器件降低了漏极和源极之间的电阻，整体电源电路效率比其它同类封装的解决方案提高30％。

简介：随着器件工艺的更新。亚阈值电流对MOSFET的亚阔值特性的影响越来越大，但是目前的计算均是基于一维或者准二雏电势模型，计算量小但是误差大。基于二维电势模型，使用最小二乘法将二维电势解析式转化为二次抛物线方程，并用泰勒级数展开法计算得到二维电势的指数函数积分。并且考虑在沟道超短的情况下，热电子发射电流已经无法忽略，因而考虑了热电子发射电流并联的影响，最终得到了适用于超短沟道的精确的亚阈值电流模型。通过将计算结果与Medici仿真结果对比，验证了该模型能够准确模拟超短沟道下的MOSFET在亚阚值区的电流。

简介：<正>Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8,其额定电压为25V,适用于90W及以上的笔记本和便携式电脑的电源设计。这款新品能取代返驰式转换器内效率较低的肖特基二极管,并通过减少多达70%的整流器损耗,有效提升最高达3.5%的电源效率。因此,该器件有助电源供应系统更容易达到能源之星V2.0所规定的电源平均效率需达到87%的评级要求。

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：摘要： 随着自然环境的变迁和人类活动的影响 ， 沟道侵蚀问题逐渐成为威胁生态系统和水资源管理的重要挑战 。 本研究旨在深入探讨沟道侵 蚀的特征 ，通过对治理工程设计的优化研究 ，寻求可持续的治理方案 。通过对沟道侵蚀的形成机制 、发展趋势进行分析 ，结合实地调查和数值模 拟 ，本研究建立了一套全面的沟道侵蚀评估体系 。在此基础上 ，优化沟道治理工程设计，探讨了提高治理效果和降低生态影响的方法 。研究结果

简介：“义沟道宰印”印文印拓先后收录于《切庵集古印存》、《汉印文字征》、《印典》之中。义沟：《汉书·地理志·北地郡》载“义渠道，莽曰义沟。”其意是说王莽将“义渠道”之政区名称改为“义沟”政区名称。

简介：在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下，沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。

简介：摘要：混凝土沟道一次浇筑成型技术相比传统工艺（二次浇筑），简化了工序、缩短了工期，有效的避免了传统方法二次浇筑时施工缝处有渗漏隐患的弊端，大大提高了沟道性能，在地下水位交浅的施工环境中尤为使用，值得推广。

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：摘要本文主要针对球轴承沟道精研加工工艺展开探讨，分析了球轴承沟道精研加工工艺的改进方法，并对其具体的措施进行了总结和分析，希望能够为今后球轴承沟道精研加工提供参考。

简介：

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。

简介：

简介：ＤｙｎａｍｉｃＣｕｒｒｅｎｔＳｈａｒｉｎｇｉｎＰａｒａｌｅｌｉｎｇＰｏｗｅｒＭＯＳＦＥＴ①ＷＡＮＧＢａｏｃｈｅｎｇ，ＷＵＷｅｉｙａｎｇ，ＺＨＡＮＧＣｈｕｎｊｉａｎｇ（ＹａｎｓｈａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｑｉｎｈｕａｎｇｄａｏ０６６００４，ＣＨＮ）Ａｂ...

简介：ST公司近日推出基于STripFET技术的低压N通道MOSFET，适用于计算机底板和电信领域内的高频转换应用。STripFET技术采用优化的版面没计和新颖的制造工艺，可改善选通电极、栅电阻和输入电容特性。提供超低品质因数，可减少传导和转换损失。

简介：现代功率MOSFET被日益广泛地应用在汽车上，是最具发展前号的功率器件之一。文章在概述不同种类功率MOSFET特点的基础上，具体分析了当前主要的汽车用功率MOSFET的分类、结构、性能及其封装形式与改进，并给出这一领域的现状及发展趋势。

简介：IBM一研究组（位于纽约的TJWatson研究中心）介绍了他们研制的栅长160hm的InGa4sMOSFET．也是为了评价当栅长与现代Si同类器件相当时，需要解决的关键问题。研究人员着手解决表面态问题，