简介：近年来，我国IC产业发展迅速，己成为国家经济发展的主要驱动力量之一。
简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。
简介：
IC封装基板用高性能履铜板的开发
用无条纹硅制造的整流管和晶闸管的击穿行为
认清行为形势 配合淘汰工作ODS清洗剂使用许可证发放进展综述
