简介:摘要:近年来,随着我国经济的不断发展进步,各行各业都取得了长足的发展。尤其在进入二十一世纪以后,信息化技术在我国的应用范围不断拓展,使的我国很多行业的发展速度不断加快,尤其是以第三产业或者是工业4.0为主。在经济发展较快的同时,也带来了很多问题,最为突出的两大问题就是资源利用和环境污染问题,我们之所以能有现在这么快节奏的生活,一方面在于信息化技术的应用,另一方面,也是因为资源的利用率也越来越大。在对资源利用效率提高的同时,也存在资源利用量过大导致很多资源逐渐缺乏。目前,在我国或者是在世界上大多数国家,冶炼技术不断提高,但工业硅资源仍面临着枯竭的状态。因此,对于工业硅冶炼污染的治理和废物资源化的利用要不断提升,这样一来才能够更好的对工业硅资源进行使用和应用。
简介:摘要:本文研究了不同硅源对碳化硅(SiC)原料合成的影响,旨在探索硅源种类与特性如何影响SiC的形貌、结构及性能。通过选取硅粉、硅烷、硅氧烷等多种硅源,采用凝胶法、热解法等合成方法,制备了一系列SiC样品。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等表征手段,对样品的形貌、结构和性能进行了详细分析。结果表明,硅源的纯度、粒度和活性对SiC的结晶度、形貌及力学性能有显著影响。具体而言,高纯度硅源有利于获得高结晶度的SiC,而适当粒度的硅源则有助于形成规则的SiC形貌。此外,硅源的活性对SiC的合成速率和最终性能也有重要影响。本研究不仅为SiC的合成提供了新的视角和思路,也为SiC材料的性能优化和应用拓展提供了理论依据和技术支持。