简介：摘要现代电力行业的以“全覆盖、全采集、全费控”为终极目标的电力用户用电信息采集系统在导致用户用电数据呈指数型增长的同时，还出现了数据存储、处理和应用等多方面的实践瓶颈。不仅对电力用户的用电体验造成了不利影响而且对电力企业的相关服务的开展产生了巨大障碍。因此在电力行业运用大数据技术的想法便应运而生，这对于解决逐渐复杂的智能窃电行为和实现线损监控具有重要意义。本文从电力用户用电信息采集系统的现状出发，引出大数据环境下电力大数据分析及云计算技术，之后再深入分析其在智能反窃电和线损监控等方面的应用，以期对大数据下电力行业的健康可持续发展提供理论借鉴。

简介：采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt铁电电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3铁电电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁电存储器是不利的。

简介：利用层接层自组装方法,将Keggin型多酸（PW_（12））和染料中性红（NR）制备成复合膜材料.采用紫外-可见吸收光谱（UV-vis）、扫描电子显微镜（SEM）和循环伏安法（CV）等手段对复合材料的形貌和电致变色性能进行了表征.复合膜材料呈现出良好的电致变色性能,其光反差可达6.0%,着色效率高达14.6cm^2/C,着色与褪色时间分别为14.6和16.9s.而且,复合膜实现了深粉色、淡紫色和深紫色的可调变颜色变化.

简介：摘要在社会生产生活水平逐渐提升的趋势下，对于电力资源的需求量也在上涨，只有增强供电服务质量，才能满足用户的个性化用电需求。装表接电是当前电力建设中关键工作，其工作质量与用户的用电稳定性、安全性密切相关，同时也关系到电力企业的经济效益。由于多方面因素的影响，会导致错误接线问题出现在装表接电工作当中，不仅会造成电力资源的严重浪费，而且威胁用电安全。本文将对装表接电工作中的错误接线问题及原因进行分析，研究窃电问题的主要危害，探索装表接电工作中的防窃电管理措施。

简介：利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156＋156＊0．18mm的多晶硅太阳能电池片进行划片实验，得到了不同调Q频率和电池片电性能参数的关系，从而找出了Q开关的最佳频率范围值，并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳能电池片电性能参数差异的原因。

简介：【本节需学习的内容】通过探究活动“观察手电筒”和“如何使一个小灯泡亮起来”，认识电路的组成元件及其作用，知道电路的三种状态，并会作图表示．

简介：采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12（BIT）薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。