简介：<正>台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示,台积电将会和整个半导体产业一起,向14nm以下的制造工艺进军。张忠谋认为,2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快,原因有很多,其中之一就是受摩尔定律制约,技术发展的速度会趋于缓慢。张忠谋表示,2xnm时代眼下很快就要到来,1xnm时代也会在可预见的未来内成为现实,而台积电或许无法在他的任期内走向1xnm,但肯定会竭尽全力将半导体制造技术带向新的水

简介：<正>由半导体研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所资助的一个研发团队日前宣布,已经开发出一种新颖的自组装技术,该技术之前仅在实验室进行实验,但现在已经能针对14nm半导体工艺完善地建立所需的不规则图案了。藉由解决芯片微缩过程中一项艰难的光刻挑战—即连接半导体和基板的微型接触过孔—这些斯坦福大学(StanfordUniversity)的研究人员展示了一款22nm的实作电路,声称可朝14nm转移,而且还能直接朝10nm以下节点发展。

简介：市场研究单位YoleDeveloppement（Yole）指出，碳化硅（SIC）电力电子产业发展具高度潜力，包括ROHM,Bombardier,Cree,SDK,STMicroelectronics,In-fineonTechnologies,Littelfuse,Ascatron等厂商都大力投入。Yole预测到2023年SiC功率半导体市场规模预计将达14亿美元，2016年至2023年间的复合成长率（CAGR）为28％，2020～2022年CAGR将进一步提升至40％。

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简介：CIC滤波器作为一种高效的多采样器件，具有低通滤波的作用。它仅利用加法器、减法器和寄存器（无需乘法器），实现简单、成本低且速度高，因此被广泛应用。文章介绍了一种2～63倍内插率可编程的14位CIC内插滤波器的结构和特性，讨论了在设计中应注意的溢出保护、CIC通带补偿等问题。

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

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