简介：采用表面处理法修饰稀土氧化物WO3、CeO2，制备了WO3／CeO2／环氧树脂基多层辐射防护材料。利用扫描电镜（SEM）观察材料的微观结构；用多道Y谱仪和GammaVision软件对该多层辐射防护材料进行了辐射防护性能测试；运用蒙特卡洛模拟软件EGSnrc对光子在材料中的输运过程进行模拟，并通过计算注量，得出该材料线性衰减系数的理论值，与γ谱测试结果进行比较；比较双层结构中，WO3以及CeO2的先后顺序对于该多层辐射防护材料的影响。结果表明，制备的材料功能性颗粒分布均匀，有轻微团聚现象，在低能区间，CeO2在前的多层材料防护性能较为优越，但是在高能区间WO3在前的防护性能较好，模拟计算的线性衰减系数与实验结果基本吻合。

简介：

简介：与铽做的硅石和硼硅石玻璃材料器官的建筑群被准备由在situ大音阶的第五音胶化方法分别地。XRD和SEM大小被执行验证玻璃的非结晶的结构。玻璃的结构和做的Tb(III)离子的精力水平上的玻璃内容的影响被排放系列和红外系列分析。稀土元素的photolumi-nescertee性质上的B_2O_3的效果在硅石的器官的建筑群--基于的玻璃被调查。红外系列显示在原处综合的稀土元素复杂分子被限制，到主人的微毛孔，ligands的颤动被冻结。当B_2O_3被增加进硅石主人胶化时，B_2O_3几乎没在玻璃，和BO_3三角的非结晶的结构上有小影响，它有与硅石框架不同的层结构，能形式。硅石网络因此成为了尘埃不均匀，并且铽建筑群的光随B_2Opercent数量的增加被熄灭。

简介：微观结构并且电，热，Cu/Ti2AlC在900整?祢栠瑯瀭敲獳湩g由hot-pressing制作了？？

简介：制备出高质量纳米晶是金属氧化物纳米晶的基础研究和技术运用的首要问题.在有机溶剂中,利用一步法能够合成出较高结晶度的立方相Ga2O3纳米晶,对该样品的微观形貌和光学性能进行了表征.研究表明,利用一步法获得的纳米晶具有单分散性,晶格条纹明显,平均直径为6nm.在光学性能方面,立方相Ga2O3纳米晶在紫外区域有较宽的吸收.此外,通过提高合成温度能够从紫外到蓝光范围内调节荧光光谱.

简介：据报道，德国电子同步加速器研究中心（DESY）的科学家研制出继金刚石之后，世界上第2个硬度最大的透明陶瓷材料——立方氮化硅。

简介：在密度以内的第一原则的计算功能的理论被执行了在Ti32阶段>艾尔基于合金，Zr，Hf，和Sn(6.25at%)元素做了。格子常数，全部的精力和有弹性的常数为supercells被计算。形成热含量，体积模量，砍模量，幼仔模量，和内在的坚硬被调查。做的2阶段的韧性被Cauchy压力，G/B和泊松比率分析。结果证明由由Sn的艾尔(2n)的Zr，Hf，和替换的Ti(6h)的替换能使做的2阶段更稳定。2阶段的刚性和坚硬能被与Zr和Hf做提高，当Sn带相反的效果时。Sn是更强大的比Hf改进做的2阶段的韧性，但是Zr能增加易碎物。状态(DOS和PDOS)的密度和差别费用密度被获得揭示alloying元素的效果的内在的机制。

简介：采用单辊法制备了宽20mm、厚25μm的Fe78Si9B13合金带材，用绕带机将其绕制成环型磁芯，然后将磁芯进行退火处理，结果表明，随着退火温度的升高，Fe78Si9B13非晶磁芯的初始磁导率m、饱磁感应强度Bs和矫顽力Hc呈先增大后减小的趋势，当退火温度达到450℃时，磁化曲线呈现出一定的线性关系，即恒导磁特性。将经4500（=／100min退火的Fe78Si9B13非晶磁芯用环氧树脂进行封装后，环氧封装后μi和Bs减小，而Hc和损耗Ps增大，磁化曲线和损耗曲线的形状与封装前相同。

简介：

简介：由于ZrB2具有极高的熔点、强度、硬度和导电率等许多优异性能，因而其应用领域非常广泛。研究了ZrB2-Si3N4复相陶瓷的制备和高温下的氧化机理。结果表明，在1700℃、15MPa、2h烧结条件下制备的ZrB2-20％Si3N4复相陶瓷的致密度为98％左右。ZrB2-Si3N4复相陶瓷在高温氧化时生成了SiO2，并且SiO2液相容易在复相陶瓷表面富集形成一层保护膜，有望提高陶瓷在更高氧化温度下的抗氧化性能。

简介：利用正相和反相胶束介质模板制备的纳米TiO2为光催化剂，在紫外光照射下，对染料罗丹明B和有机有毒无色小分子2，4-二氯苯酚进行光催化降解，研究了其光催化性能，并对光催化过程中氧化物种及降解产物进行了跟踪测定，结果表明，反相胶束模板体系制备的纳米TiO2与正相胶束介质制备的纳米TiO2比较，在紫外照射下对RhB及DCP的降解有较好的光催化性能，对RhB在160min光催化矿化率可达95％，光催化反应主要的氧化物种涉及羟基自由基。

简介：日本东京大学岩佐义宏教授和理化学研冗所的研冗小组置称，实验证明具有与石墨烯相同的原子构成为蜂窝状晶格结构的层状MoS2是一种优异的谷电子学意义上的新型低耗电器件用半导体材料。为降低耗电量，此前的研究集中在自旋电子方面，即半导体器件不用电荷，而是利用电子自旋，但近年来谷电子学研究比较引人注目。这是利用电子的另一个自由度“谷”，即由半导体晶体结构的对称性产生的电子流动及流动方式在左旋和右旋具有不同的性质。通过抑制因半导体结晶缺陷及杂质导致的能量损失，使电子自旋高效运动，从而减少电子器件的电力消耗。

简介：简单介绍了纳米SiO2改性目的及改性机理,对近年来国内外纳米SiO2表面改性方法及聚合物/纳米SiO2复合材料（PSN）的应用进行了阐述,并对未来的研究内容和方向提出了展望。

简介：以KF、SbCl3和SnCl2为原料配制乙醇溶胶，通过在Ti基底上涂胶、干燥、预热处理和煅烧等工艺制备出了F—Sb-SnO2/Ti复合电极。以F—Sb—SnO2／Wi复合电极为阳极，镍片为阴极，施加恒电压观测甲基橙电解液的脱色变化，在正交设计试验基础上，考察溶胶涂层数、煅烧温度、掺杂F离子的浓度等因素对甲基橙降解率的影响，结果表明，固定电解参数电压3V，甲基橙浓度50mg／L，添加荆h（Ⅲ）浓度110mg/L，溶液pH=l，优化的溶胶涂层数9，煅烧温度为773K，溶胶中维持Sn/Sb摩尔比9／1时，优化的KF掺杂摩尔比为0．5时，电解75min，甲基橙的降解率达93％。

简介：使用醋酸镍为前驱体通过一步法和成无毒的M3S2量子点.对M3S2量子点进行光致发光,XRD和透射电镜的分析表征结果表明：硫化镍在365nm的激发波长下的最大发射波长在469nm,量子点的平均粒径介于5-11nm之间.

简介：以硝酸铁为原料，三乙二醇（TEG）为溶剂，采用热分解法制备了γ-Fe2O3纳米粒子，通过X射线衍射fXRD）、差热-热重分析、N2吸附-脱附（BET）和磁性分析（VSM）等测试手段对制备的样品进行表征，并考察了硝酸铁浓度和反应时间对γ-Fe2O3晶粒尺寸及性能的影响，结果表明，硝酸铁在TEG中高温热分解后能够产生γ-Fe2O3纳米粒子，并且随着硝酸铁浓度和反应时间的增加，γ-Fe2O3纳米粒子的晶粒尺寸和饱和磁化强度都有增大的趋势。

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简介：Thecounterelectrode(CE)prominenceindye-sensitizedsolarcells(DSSCs)isundisputedwithresearchgearedtowardsreplacementofPtwithviablesubstituteswithexceptionalconductivityandcatalyticactivity.Herein,wereportthereplaceableCEwithbetterperformancethanthatofPt-basedelectrode.ThechemistrybetweenthegrapheneoxideandicetemplatesleadstocellularformationofreducedgrapheneoxidethatachievesgreaterconductivitytotheCE.Thesimultaneousgrowthofactiveedge-orientedMoS2ontheCEthroughCVDpossesseshighreflectivity.HighreflectiveMoS2trendstoincreasetheelectroactivitybyabsorbingmorephotonsfromthesourcetodyemolecules.Thus,thesynergisticeffectoftwomaterialswasfoundtoshowcasebetterphotovoltaicperformanceof7.6%against7.3%fortraditionalplatinumCE.

简介：Al18B4O33络腮胡子由用一个化学降水方法，和一个铝矩阵的SnO2粒子是涂的合成由涂的络腮胡子增强了被制作由压榨扔技术。SnO2涂层能与铝矩阵反应在期间，这被发现压榨扔过程，和Sn粒子在在Al18B4O33络腮胡子和矩阵之间的接口附近被导致。在房间温度的张力的测试显示Al18B4O33络腮胡子的张力的力量增强了铝矩阵合成罐头被SnO2的合适的内容提高涂层。有各种各样的络腮胡子涂层的composites满足展览最大值在大约300<的张力的粘性

简介：讨论了O2/C3H8摩尔比在2-9范围内时，火焰温度对TiO2晶型的影响，O2/C3H8摩尔比和火焰中TiO2颗粒浓度对含碳纳米TiO2碳含量的影响。用管式光催化反应器，以液相沉积法将TiO2薄膜涂敷到反应器石英玻璃管内壁，实验测量了光催化降解甲醛气体的降解率。用4阶龙格-库塔法求解传质方程，得到了一级速率常数。经讨论得出：当含碳量约为5％时，降解率达最大值，是无碳或碳含量大于10％的TiO2的2．5倍。