简介:本文介绍了意法半导体公司(STMicroelectronics)首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET(结型场效应晶体管)和1200VSiCBJT(双极结型晶体管)作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A~7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻(Ron*A)很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件:SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。
简介:各种各样的实际因素会导致永磁同步电机在求取转矩时很难绝对精确。比如转子温升会导致磁场强度降低并使得输出转矩减小。导致转矩减小的另一种情况是在过载时铁心出现饱和。针对这样的情况,现在比较行之有效的设计思路是使用一个快速叠加速度控制环或者使用转矩传感器。但是,像绞车和注塑成型机一类的设备需要很高的转矩精度,而使用转矩传感器有诸多缺陷。本文将介绍三种不吲的改进静态转矩精度的策略。第一种策略是基于对转矩常数和磁阻转矩常数的离线辨识。这一思想在第二种策略中得以扩展.即通过转矩与转距电流之间的关系来识别电机特性。这种策略通过采用多项式方程进行计算来补偿味开环控制的不足。第三种策略是一种在线自适应转矩常数控制技术,它基于对电机电参数的观测和对转速的洲量。试验结果证实了三种策略理论的有效性。