简介：印制板中阻焊显影工序，是将网印后有阻焊的印制板。用照像底版将印制板上的焊盘覆盖，使其在曝光中不受紫外线的照射，而阻焊保护层经过紫外光照射更加结实的附着在印制板面上。焊盘没有受到紫外光照射，可以露出铜焊盘，以便在热风整平时上铅锡。

简介：摘要：自从1971年蔡少棠教授首次提出忆阻器的概念以来, 它因其独特的性质，在处理模拟信号时表现出超凡的计算速度及低能耗优势，尤其在内存原位计算领域展现出了巨大潜力。随着研究的不断深入和技术的进步，忆阻器阵列在存算一体芯片中的应用已成为研究热点。从概念到现实，忆阻器经历了漫长的探索之路，直至2008年由惠普实验室成功制备，才正式开启了其科研旅程的新篇章。如今，英特尔、IBM等行业领军企业纷纷加入研究行列，国内外学术界也掀起了研发热潮。本文将探讨忆阻器的诞生历程、核心工作原理及其在内存原位计算领域的革新应用，并概述其最新进展与未来发展愿景。

简介：造成电子元件损坏的原因现在，电子元器件故障除静电直接放电外，附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统，且系统速度越快，越易受到影响。有实验表明：1～3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内，放电相应带宽就高达300多兆赫，因此，现代高速系统一般都采用VHF／UHF屏蔽及接地技术。

简介：1引言当今市场上需要占地面积较小且又具有较高功率水平的DC／DC变换器。为了获得这样的功率密度，开关频率提高了，这使MOSFET的功率损耗增加。因而要求设计者对热阻有较好的了解，即何谓热阻?如何测量?它给设计者提供何信息?

简介：为了低损耗开关模式电源（SMPS）结构的最佳化，硅工艺技术的进步已经使MOSFET几代器件持续地具有较高的跨导，并且使得前几代器件被逐渐淘汰。然而当这些高跨导的器件应用于线性模式时，具有热集中的倾向。由于已发表的分析方法需要硅器件数据的支持，而这些数据常常涉及知识产权，因此向电路的设计者提供这些方法几乎是不能使用的。本文介绍了使用非知识产权的规一化的芯片面积信息作为评价在线性模式应用中的MOSFET器件适用性的客观标准。

简介：大功率半导体器件的各种应朋中．热设计的重点是对散热器热阻的计算。尤其是单个元件自身功率损耗数百瓦到数千瓦的功率半导体器件。本文通过大功率半导体器件用散热器的散热过程分析，将热阻的计算分为散热器内固体传热过程和散热器与空气间的传热过程两部分，最后给出散热器风冷热阻计算公式和计算实例。同时为了满足实际应用，我们根据此公式开发成功了一种专用风冷散热器热阻计算和曲线绘制软件。与散热器厂家给出的散热器风冷热阻曲线对比，其结果基本吻合。

简介：为了能在下一代风力发电系统中起到重要的作用，我们已经开发出一种新型的600A—1700VIGBT模块。这种模块主要具有以下特点：（1）热阻低，这是通过采用带有针形翅片散热器的无导热硅脂的“直接液体冷却”技术实现的，其中冷却液通过针形翅片的压降以及效率都经过了优化设计；（2）封装尺寸小，这使电源调节器系统小型化成为可能；（3）可靠性高且寿命长，这是通过高强度Si3N4绝缘衬底和新开发的Rot—iS焊接技术来实现的。与采用导热硅脂间接冷却的传统模块相比较，我们发现此IGBT模块的热阻Rj-W降低了35％；与传统模块在相同功率容量下比较时，这种IGBT模块连同冷却液通道的基座（channelcoverjacket）的总重量减轻了大约37％，体积减小了约45％。

简介：COF技术由于具备诸多优势，已经成为LCD驱动IC的主要封装技术。对三种无胶基材进行实验，通过测量孔径和误差之间的关系，得出1．5mm孔为引入误差最小的孔；测量真空层压后基材的尺寸稳定性，三种基材能够符合COF技术要求。

简介：对高速A/D转换器（ADC）的结构及其时钟稳定电路的设计概念，研究对象进行了介绍，并对用于高速A/D转换器的时钟稳定电路进行了调研，从而提出了一种新的设计方法。

简介：通过对船舶腐蚀的基本原理的分析以及传统防腐蚀方法的阐述,在此基础上提出了船舶腐蚀防护方法中外加电流建立反馈系统,对船舶腐蚀防护进行更好的监测和处理。对于外加电流船舶腐蚀防护法实施技术性监控,建立反馈系统。提高外加电流系统的可靠性。为当今船舶腐蚀防护方法提出一个明确的发展方向。

简介：在一些文献中讨论到的基于MRAS的感应电机无速度传感器矢量控制方案存在着纯积分、不稳定以及低速下对定子电阻值较为敏感等问题。在本文中，我们设计出一种基于电流估计的新型、稳定的MPAS速度和定子电阻观测器。这些观测器不客是单独使用不是同时使用，在各种工作模式下都是稳定的，其设计程序遵循线性控制理论。仿真和实验结果证明了这些观测器的稳定性。