简介:随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用,在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能,满足空间应用的各种需要,文章介绍了空间辐射环境,空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理,主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时,概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术,大大提高了空间应用的超辐射发光二极管(SLD)、超荧光光纤(SFS)光源、1310nm波长的InGaAsP/InP半导体激光器、电荷耦合器件(CCD)、互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件的抗辐射性能和可靠性。
简介:与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。
简介:作者在积累氦质谱组合检测中发现存在粗漏漏检现象,美国宇航局2013年2014年的研究报告揭示,各种组合检测复测中均存在粗漏细漏漏检现象。文章对积累氦质谱组合检测和氩粗漏氦细漏组合检测的粗漏检测,提出了确定最长粗漏检测时间的方法;对这两种组合检测和氦质谱检测的细漏检测,综合给出了定量确定和拓展细漏检测最长候检时间的方法,论证了压氦压力不应小于2倍的大气压力,提出了确定预充氦法和预充氦氩法最小候检时间的方法,提出了确定最长细漏检测时间的方法,从而可减少和防止粗漏和细漏漏检;并通过对美国宇航局报告中实例的分析,验证了以上方法的有效性。同时指出漏孔堵塞是造成漏检的原因之一,但不是形成微型元器件高比率漏检的主要原因。
简介:<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%~54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器