简介:TH7032005031635MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP分布布喇格反射镜的反射率=ReflectivityofMOCVD-Ga0.4In0.6AS0.85P0.15/InPdistributedBraggreflectors[刊,中]/蒋红(中科院长春光机所激发态物理重点实验室.吉林,长春(130033)),金亿鑫…∥发光学报.-2004,25(6).-686-690采用MOCVD方法,获得高质量的InP和较高质量的GaxIn1-xAsyP1-y外延层,通过GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替生长制备出在工作波长为1.55μm时具有较高反射率的分布布喇格反射镜。根据光在多层介质膜中传播的传递
简介:目的:探究错距旋压仿真模型关键特性参数影响,改进建模方法,克服现有模型方案的缺陷,构建更准确、可靠和稳定的错距旋压有限元仿真模型。创新点:1.提供包括全模型、六面体离散、速度边界、全仿真、双精度和无干涉模型等在内的改进有限元模型构建方法;2.基于所构建的改进模型,完善错距值对成型过程影响的现有结论。方法1.通过能量、网格独立性和过程参数分析,验证改进有限元模型的可行性和可靠性:2.通过对比仿真和数据分析,获得边界模式、精度模式、时间截断和错距干涉对仿真结果的影响;3.通过仿真模拟,完善现有受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的错距值研究成果。结论:1.速度边界模式较之位移边界模式具有更高的计算精度和效率;2.时间截断不能确保扶取稳态结果,不利于计算的准确性和稳定性;3.截断误差对错距旋压成型结果影响显著,计算过程中应采用双精度模式;4.错距干涉严重干扰计算的正确性和可靠性,应在实验设计阶段予以排除:5.针对现有错距值研究受干涉、单精度、时间截断和位移边界影响的现状,基于改进模型,完善错距影响结论(表11)。
简介:Thestudyonthedecaypropertiesofnewisotopeslocatedfarfromthebetastabilitylineiscurrentthefocusofnuclearphysics.ForisotopesintheregionZ>82andN<126,-emissionprevailsasradioactivedecaymodeand-spectroscopyisthemostimportanttooltoobtaininformationonthenuclearstructure.IntheheavynucleiregionwithN=124and126isotones,anintruderstate(h9=2.f7=2)8+basedontheattractiveinteractionoff7=2protonsandf5=2neutronshasbeensignificantlyobserved,whichincreasesthebindingenergyofthisconfigurationwithincreasingprotonnumber.
简介:O484.599042623用喇曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸=Estimationofcrystal—sizeofnano—GebyRamanscatteringspectra[刊,中]/王印月,郑树凯,杨映虎,郭永平(兰州大学物理系.甘肃,兰州(730000)),奇莉,甘润今(北京机械工业学院基础部.北京(100085))//光学学报.—1998,18(9).—1265—1268用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入SiO2基底中的纳米Ge复合膜(nc—Ge/SiO2。测量了不同温度退火后该复合膜的喇曼散射光谱,其结果与晶体Ge的喇曼谱相比,纳米Ge的喇曼峰位红移峰形变宽;用喇曼谱的参数计算了纳米Ge晶粒的平均尺寸。所得
简介:O484.52003053772厚度具有线性变化的吸收平板或膜层的非相干透射率和反射率=Incoherenttransmissivityandreflectivityofanabsorbingplaneplateorlayerwithlinearvariationsinthickness[刊,中]/钟迪生(辽宁大学物理系.辽宁,沈阳(110036))//应用光学.-2002,23(1).-40-43计算了垂直入射下厚度具有线性变化的吸收平板样品的非相干透射率和反射率(正面和反面),给出了直接确定无基底样品以及透明基底上薄膜能量(强度)系数的精确表达式。图3参3(郑锦玉)