简介：通过multisim软件仿真模拟场效应管的转移特性与输出特性,拟合出函数,利用函数绘图,最后结合图解法的具体步骤与要求用matlab数学软件对场效应管放大电路进行详细动态分析,补充模拟电子技术教材在场效应管图解法部分的不足。

简介：MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此，在研制过程中，解决了用多个场效应管串、并联组合，形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关；用多个脉冲变压器并联，对大电流开关输出的信号进行放大和成形；用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术，采用稳定的开关器件等技术和工艺，解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管，替代国外氢闸流管部分用途的功能。

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：在激光耦合强度、辐照面积和辐照时间对应相同的条件下,对单结GaAs太阳电池分别开展了波段内808nm、波段外1070nm连续激光单独辐照以及两者联合辐照实验,发现三种辐照方式对应的样品损伤程度十分接近。结合等效电路输出的I-V曲线随太阳电池参数的变化、电致发光图像及小光斑激光响应扫描测试结果对损伤机理进行了分析。结果表明：激光辐照导致太阳电池损伤的实质是PN结内缺陷增多。

简介：在冲击大电流装置中，为了获得较大的冲击电流，要求主放电回路中的电感尽可能小，除了减小传输线的电感和采用低电感的电容器之外，常常采用多个触发管并联运行以减小电感，为了可靠地并联运行，要求各触发管能够准确地同时击穿，这就要求触发管的抖动特性很好；另外，在时序电路(如快速摄像)中，要求触发管的抖动时间越短越好，为此，对研制的密封充气触发管抖动特性进行了研究。

简介：导膜共振是在光栅应用中容易遇到的一种反常现象，产生导膜共振的条件是入射波能激发起某种沿光栅表面传播的表面波，介质膜压缩光栅的结构具有产生导膜共振的条件。

简介：本文介绍了一种测量范围为１ｍｍＨｇ—２０ｍｍＨｇ，测量精度为０．１ｍｍＨｇ的低真空测量装置及其使用条件和方法。有效地代替了以水银为媒质的旋转式麦氏真空计。

简介：对制造的单mesa终端4H-SiCPIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiCPIN二极管正向直流特性的影响。详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算。对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好。研究表明,实际制造的4H-SiCPIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应。

简介：神秘气氛笼罩眼睛，在似有若无的裸妆衬托下，色彩玩味非常可爱的灵动，柔和中有点世故，率真的同时带着出位的性感。

简介：O436.42001031601Ce:YIG自旋-轨道耦合对磁光效应的影响=Effectofspin-orbitinteractionstrengthontheFaradayrotationinCe-substitutedyttriumgarnet[刊,中]/杨杰慧,潘留占（河南省洛阳师范专科学校物理系.河南,洛阳（471022））,徐游（南京大学物理系.江苏,南京（210008））∥物理学报.-2000,49（4）.-807-810计算了Ce:YIG中Ce3+离子自旋-轨道耦合对磁

简介：串联型晶体管直流稳压电源在稳压部分的过载保护分限流型和截流型两种保护电路,这两种过载保护电路都有各自的缺点,并且都是加在稳压部分。在实验课教学中采取了另外一种过载保护电路,即在桥式整流与滤波器之间加一个220欧姆的分流电阻,对电路进行过载保护,采用这种分流式过载保护电路原理简单,使用方便。几年来,使用效果甚佳。

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：在“强光一号”加速器上,对LM7805型电源芯片和EE80C196KC20型单片机进行了脉冲γ辐照效应实验研究,获得了单片机的闩锁阈值,并得到了单片机和电源芯片的扰动时间随剂量率的变化规律,从实验上证实了电源芯片对单片机脉冲γ辐照闩锁效应的抑制作用.

简介：从电子在电磁场中的狄拉克方程出发,得出电子在电磁场中波函数,分析磁矢热A引起的电子概率波的相移,结果表明:影响电子波函数的相位变化不是B而是A(x),即有一个额外相因子附加在电子概率波上,进而通过量子干涉出现图样的位移。结论是A—B效应的存在说明磁场的物理效应不能完全用B描述,而是附加在电子概率波上的相因子。

简介：高功率微波（HPM）效应实验系统由微波辐射源、效应物和监测系统等组成。微波源产生并辐射电磁波，实验中的微波辐射源分为窄带微波源和超宽谱（UWB）源两种。实验效应物包括低噪高放、TR管、限幅器、混频器和微波组件——被动雷达探测系统RF装置等。详细介绍了这些微波器件和微波组件的基本组成、特性、工作原理和性能，同时介绍了不同效应物的实验系统、实验方法、效应现象和损伤判据。监测系统对目标状态、辐射源状态进行监视，在注入实验中对效应物的注入功率进行测量，在辐照实验中对目标附近的辐射场进行测试标定，为实验结果的分析提供数据。为避免损伤累积效应，损伤实验注入脉冲次数不超过4次。

简介：利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明：质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.

简介：从双缝干涉的简单理论出发,将光栅分解为许多组双缝,利用人们熟知的干涉条纹间距公式导出Talbot成像位置,结论与Talbot效应公式一致。并由实验证实,在（2m1）d2/λ（m为正整数）的位置得到的为横向平移d/2的周期像,并非原周期性物的负反差像。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：根据驻点声速的现有知识,通过数学推导,得到了声速与流速的关系计算公式,时间相对性公式和多普勒效应公式。

简介：20世纪20年代，分子光谱，金属中的电子发射和α衰变为量子力学隧道效应这一新思想提供了广阔的应用天地。