简介：摘要：随着城市化进程的推进，地下管道的建设越来越重要。高强度地下通信管道用塑料管因其轻便、耐腐蚀、易加工等特性，逐渐成为地下管道建设的首选材料。本文主要讲述了高强度地下通信管道用塑料管的生产工艺和加工技术，包括原材料选用、管道生产工艺、管道加工技术等方面。通过对各种工艺和技术的分析和比较，提出了一种适合生产高强度地下通信管道用塑料管的生产工艺和加工技术，为地下管道建设提供了一种可靠、高效的解决方案。

简介：<正>距本刊上一次采访汤昌丹,时间已经过去了17个月。与上次见面相比,汤昌丹脸上依然是笑容可掬,但不同的是在汤昌丹带领下的深圳瑞华泰薄膜科技有限公司(以下简称"瑞华泰")在不经意间"轻舟已过万重山",从当初的创业艰难步入平稳快速发展期。而当初让汤昌丹和瑞华泰声明大噪的"黄金薄膜"——聚酰亚胺薄膜产品,也已经完成第一期项目的建设,3条1200毫米幅宽高性能聚酰亚胺薄膜连续化生产线正式投产,目前达到年生产能力350吨,成为业内首屈一指的龙头企业。而过去的8年中,作为瑞华泰总经理的汤昌丹经历的,却远远不止这些,

简介：对于有机薄膜器件（包括有机电致发光器件（OLED）和有机场效应晶体管（OTFT））,器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金（MgAg）为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝（Alq3）为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3（001）衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁（MgO）衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

简介：文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

简介：<正>大多数半导体芯片都是用硅制成的,虽然塑料价格低廉,但在制作芯片之前,需要对其作很大改变,其属性必须能够得到极精微的控制,才足以挑战硅片的地位。塑料芯片的最大优势在于极低的制造成本,其成本仅几美分,而目前一家半导体制造厂的建设和启动成本高达20亿美元,这使得芯片成本始终居高不下。

简介：<正>众所周知,历来计算机芯片都是以硅晶体为基础材料而研制和生产的;但是随着现代科学技术的进步和发展,这种局面将有所改变。目前,科学家们已经找到一种方法,能够用成本低廉的塑料来取代用于制造集成电路的硅材料。塑料芯片将会成为一种现实而变为芯片家庭中的一员。

简介：Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，器件和制程又可与SL工艺兼容，采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管（HeterojunctionBipolarTransistor，HBT），其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平，而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索，在总结大量数据的基础上，验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时，文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

简介：由中欧新能源委员会发起主办的"第二届中欧国际太阳能光伏产业发展论坛"于2010年8月12-13日在上海隆重举行。会议的主题是"倡导低碳经济,推进新能源可持续发展",强生集团董事长沙晓林先生在会上作了"薄膜电池抢占光伏发电平价上网先机"报告,受到与会者一致好评,本刊特派记者进行了现场录音并加以整理,以飨读者。

简介：利用热氧化法,在紫外线光源催化作用下,在N型硅衬底上沉积氧化镍（NiO）薄膜,制备具有半导体特性的NiO/Si异质结二极管。使用JASCONRS-3100测量薄膜拉曼散射频谱,分析不同氧化时间、不同紫外线光源、不同退火条件对NiO薄膜性能的影响。实验结果表明：氧化时间为60min时,金属Ni能够充分氧化;含臭氧水银灯比金属卤化物灯更有助于金属Ni的氧化反应;氮气下退火30min,有助于消除晶格损伤,改善薄膜特性。通过PhillipsX’Pert衍射仪分析NiO薄膜的晶体结构,KeysightB1500A半导体参数测量仪测量NiO/Si二极管的I-V特性,当二极管两端电压分别为2V和-2V时,电流密度相差3个数量级,表现出良好的整流特性。

简介：

简介：信息对人类的发展有非常重要的作用,21世纪是信息时代.随着信息技术的发展,对显示技术和显示器件提出了越来越高的要求.平板显示技术是本世纪最有发展前途的显示技术之一,平板显示具有十分突出的优点,在于它全固态、无真空、驱动电压低、视角广、耐恶劣环境等,薄膜电致发光器件具有平板显示技术的特点.本文针对无机薄膜电致发光的原理、目前获得蓝光所遇到的问题及可能的解决方案进行了深入探讨.

简介：

简介：该文介绍了挠性印制板的发展状况、无粘接剂挠性覆聚酰亚胺薄膜的优点、技术要求及其应用领域.

简介：环氧模塑料（EMC）作为半导体产业的三大基材之一，其性能对成品器件、IC品质至关重要。凝胶化时间（GT）和螺旋长度（SF）是环氧模塑料的两个基本性能表征指标，直接决定封装工艺参数选择范围，而温度对其影响极大。制备过程、存贮、回温（Thawing）及模压（Molding）等系列工序的操作及环境温度，对EMC的综合性能有着不同程度的影响。不恰当的温度可能会导致模压操作性不良、封装体缺陷及半导体器件（电路）的成品性能下降或失效。文章重点阐述温度对EMC使用、半导体成品性能的影响。

简介：薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）是液晶显示器中最重要的一种，其产值和影响力在液晶显示器家族中有着举足轻重的地位，可广泛应用于电视机、笔记本电脑、监视器、手机等各个方面。TFF-LCD根据薄膜晶体管材料的不同，又分为非晶硅TFF（a-SiTFT）、多晶硅（p-SiTFT）和单晶硅MOSFET（c-SiMOSFET），后者形成的LCD被用于LCOS（LiquidCrystalonSilcon）技术。

简介：传统的角度调谐薄膜滤波器具有较低的间隔有效折射率的严重的角度灵敏度，它是难以制造的角度控制系统。在本文中，我们提出并制备了一种新型100GHzangletuned滤光片堆栈的低角度的敏感性，采用高折射率材料TiO2为间隔，其入射角可扩大到25°。与传统的ta2o5-sio2薄膜滤波器组相比，新型的堆叠层数少。使用偏振分束器和半波片，角度的偏振灵敏度调谐滤波器可以抑制。仿真结果和实验结果表明，与低角度敏感薄膜滤波器有一个有效的调谐范围为33nm，可以覆盖整个C波段，其角度控制系统易于制作。

简介：日前,我国首台代表着国际尖端技术水平的薄膜太阳能电池关键生产设备——等离子体增强型化学气相沉积设备(PECVD)在上海理想能源设备公司正式下线。消息传来,引起业内高度关注,有专家指出,该设备的研制成功和下线,填补了光伏电池高端设备国产化的空

简介：为了进一步提高自转塑料纽带的清洗能力,对有齿自转塑料纽带和无齿自转塑料纽带的清洗力矩进行了对比实验研究.研究结果表明:有齿自转塑料纽带的清洗力矩比无齿塑料纽带的清洗力矩可平均提高42%～70%左右.其中,齿片的安装角α、β、齿高、齿距等结构参数对清洗力矩和纽带自转转速及纽带运转平稳性都有影响.