简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:摘要目的总结内镜黏膜下剥离术(ESD)治疗胃早癌及癌前病变的围术期护理经验。方法选取2016年7月—2017年9月在我院消化内科行胃ESD治疗的72例患者,并在术前、术中及术后给予患者针对性的护理。结果72例患者中有8例患者入院后出现焦虑、紧张、恐惧甚至悲观的心理状态,采取针对性护理措施后症状得到改善,并积极配合手术治疗。所有患者均成功行ESD术。其中1例术后出现迟发性出血,出血量约400ml,内镜下成功止血,病情稳定,11d后好转出院。其他患者术中术后均未出现出血、穿孔等并发症,均于4~8d内痊愈出院,所有病例均未追加外科开腹手术。结论针对性的围术期护理可保证胃ESD手术顺利进行,降低并发症的发生率,缩短患者住院时间,促进患者的康复,提高患者满意度及ESD的临床治疗效果。