简介：~~

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简介：GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。

简介：道德认知不能仅停留于知识层面。它最终应该内化为学生的一种品质,升华为学生的一种精神,而传统的教学方法使学生获得的道德认识却难以实现这一升华。因此,我们在思想道德教育中必须融入现代教育理念,让学生从自身实际出发,以兴趣为先导,以内需为动力,以实践为载体,积极倡导自主学习、合作学习与探究学习。使学生的主体性得到充分的发挥,让学生在主动思考、写作探索、亲身经历中自主地去发掘,自主地去构建科学的道德认知,为自身思想道德素质的全面提高创设扎实的基础。

简介：用磁控溅射方法制备了一系列[C(t)/Cu(2.04nm))In(n＝20,30)周期多层膜，利用四端点法、振动样品磁强计研究了多层膜的电磁性质，样品的磁电阻随钴亚层厚度的增大有一最佳值t＝1.2nm。利用同步辐射掠入射X射线散射(衍射)技术在不同的X射线能量下研究了耦合多层腹的界面结构，探索了耦合多层膜中磁电阻增强的可能原因。

简介：

简介：本文测定了在高压条件下两种金属（钙和锌）的8－羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位x-光衍射光说。结果表明，压力对其发光性质产生极大的影响。随着压力的增加，8－羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加。随后发光强度快速下降，到7GPa左右时几乎为零。而8－羟基喹啉锌的发光随压力的增加而逐渐降低，到7GPa左右时常压的10％。高压下的原位x－光衍射结果表明8－羟基喹啉钙的晶体在3－4GPa开始发生非晶化相变，在7GPa时该非晶化相变完成，样品的x－光衍射完全消失。而8－羟基喹啉锌在压力的作用下（至16GPa）没有发生明显的相变。