简介：无铅焊接的焊点可靠性问题受到特别重视。采取高低温温度冲击试验和高温试验，可评估Sn—Ag—Cu焊点强度。通过分析Sn-3．5Ag-0．75Cu和Sn-2Ag-0．75Cu-3Bi焊料的性能，可以研究引起焊点强度下降的因素。主要分析方法包括：使用SEM观察焊点结构变化；使用EPMA完成焊点界面合金层的元素分析。本研究通过对焊点结构变化包括Ag3Sn网格结构变化的分析，揭示出结构退化、

简介：印制电路板孔的加工形式有多种工艺方法．而目前使用的最多的为数控机械钻孔。机械冲孔由于精度较差，高精度微孔加工难以完成，而新发展起来的激光钻孔技术，由于设备昴贵也使用较少，因而数控机械钻孔加工仍是印制电路较重要的孔加工工艺方法。由于印制电路板的孔加工质量直接影响其机械装配性能和电气连接性能，因此孔加工是印制电路板不可忽视的重要步骤。要获得精度高、质量好的钻孔效果，因此首先必须对其影响钻孔工艺因素的以下几个方面进行深刻了解和研究。

简介：

简介：在所有的电力电子设备中获得最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不断增加设备成本的情况下将损耗降到最低。

简介：DC-DC变换器常用多重并联的SO8器件作为同步整流器。SO8封装的引出腿较少,但是热特性不如LFPAK等功率封装。譬如SO8器件的结-焊点热阻在20kW～30kW范围,取决于芯片尺寸。而LFPAF器件的结-安装基座热阻通常在2kW～3kW范围。SO8封装较差的热容量意味着常常需要并联多个器件,以发

简介：影响SMPS(开关电源)转换效率的因素很多,诸如开关器件特性、SMPS控制器、PCB(印刷电路板)布局和质量。而SMPS中的电阻、电容的寄生特性往往被忽略了。当开关频率超过1MHz时,这些寄生特性会降低整个系统的性能。电阻的寄生特性主要来自它自身的结构和封装。例如,电阻的引线有电感,直插式电阻比引线较短的表贴式电阻的寄生电感大。而电阻封装时两引线的间距

简介：进行波峰焊接的印制板上必须涂阻焊剂，留下需要焊接的部分，这样有利于焊接。这是由于在涂印阻焊剂后，有阻焊剂地方表面张力加大，而减少了焊盘的表面张力。影响焊接质量的还有与元器件引线相配的孔。如孔径大了，就会产生空洞的现象。而孔径小了，造成插元件困难，影响装配速度。一般孔径比元器件引线要大20—30μ为最好。焊盘与焊盘之间质量保持一段距离，位置安排适当才有助于焊接。焊盘的大小也是个影响因素，

简介：由于能源调节的持续增长，电源变得越来越复杂。人们意识到需要一个更简单的方式进行设计时，出现了计算机辅助设计工具。这篇文章就论述了此工具如何很快产生一个连续导通模式升压功率因素校正设计的优势。全部设计已经得到证实，并且会提供一些相关的公式。

简介：1．绪论焊膏印刷是SMT工艺的关键工序之一

简介：本文给出了基于基本物理概念的风轮机控制的概述。首次提出了基于物理过程反演设计控制规律的方法并将其应用到风轮机控制概念中。本文还给出了一些不同算法的仿真结果及在电能质量方面的比较。

简介：半导体仿真软件已成为功率器件设计的主流工具,用来预测器件的特性。击穿电压是器件的重要指标之一,仿真计算只有选取合理的碰撞电离模型、设置恰当的参数才能使仿真预测更接近实际情况。本文主要从ISE碰撞电离模型的选取及碰撞电离驱动场的设置出发,计算多级场板、场环场板结构的击穿电压,最后给出多级场板、场环场板与实际情况相符的碰撞电离模型及驱动场。

简介：积层多层板结构借助于铜充填实现生产高密度互连结构。通过选择添加剂以达到充填孔的工艺目的。例如在电镀铜槽液中添加SPS（Bis（3-磺酸丙基）disulfidedisodium）为光亮剂、JSB（JanesgreenB）为整平剂和PEG（聚乙二醇）的聚合物。但是，这些添加刺随着电镀时间消耗或分解充填能力减弱。因此，添加剂的消耗或分解的评价是从电化学分析来观察其充填能力。从电化学解析的结果，快速的确定SPS和通过沿用的评价添加剂的添加的方法，添加剂JGB、PEG是最具有耐久性。

简介：国家环保部近期制定的国家标准《清洁生产标准印制电路板制造业》和《电子工业污染物排放标准电子元件》，我们中国印制电路行业协会CPCA都能够参与制定，这是政府对我们协会的重视和信任，这也是我们行业近年来迅速发展的结果。

简介：EatonDXRTSeriesUPS是伊顿公司精心设计的高性能不问断电源系统，采用先进的双转换纯在线式架构，强大的并联冗余功能，丰富的选配件装置。特殊的在线式设计，不同于后备式UPS，它对输入电压不断调整、滤波，在市电中断时，会无时间中断地由备用电池继续供电。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：根据耦合非线性薛定谔方程，在考虑不同大小光纤偏振模色散时，通过计算机系统仿真，对分别采用EDFA和PSA作为在线放大器在不同传输速率下的系统传输性能进行了分析。结果表明，在不同系统速率和不同偏振模色散下，采用PSA作为在线放大器的系统性能优于EDFA系统性能。

简介：在Bertotti分离铁耗计算模型的基础上,结合标准正弦供电时电机损耗,推导PWM控制逆变器供电下异步电机损耗的计算模型,该模型主要体现了逆变器参数与电机损耗之间的关系。在大功率和低开关频率的铁路系统中,利用上述模型更深一步地分析与总结了恒磁通和恒功率下铁损随运行频率与逆变器参数的变化规律,着重研究了低开关频率下同步调制策略对电机铁耗的影响,以一台7.5kW的电机铁损计算为例,验证了该模型的有效性与可行性,为大功率牵引传动系统电机效率提升的研究提供了参考依据。

简介：GaN基功率器件技术正在快速发展，其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性，并且其优值（FOM）较Si基器件有非常冠著的改善，GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器／变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗，所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起，可以缩小系统尺寸，并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势，以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC／DC和DC／DC拓扑的实测结果和仿真实例。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。