简介:本文介绍大电流交流变直流的变换器(整流器)中保护功率半导体器件的5#快速熔断器。描述了某些典型的大型整流器的应用。论及多数在用的整流器类别。解释了有关熔断对整流器和功率半导体器件实现短路保护的原理。在大型整流器今天的输出额定值基础上,探讨了未来的某些趋势,讨论了同熔断器有关联的相应结果。解释了对大规格的5#熔断器进行测试的条件同该熔断器自身的负载能力及分断能力的关系,进而说明该熔断器同功率半导体器件的协同测试应该如何进行。本文还示出了新开发的5#熔断器的额定值。最后还讨论了5#熔断器如何能使大型整流器取得更高的负载能力,以及怎样通过采用较少数量的并联元件使系统的效率和成本优化。
简介:MaximIntegratedProducts(MXIM)推出MAX1577Z/MAXl577Y型高效1x/2x电荷泵,可为自光LED提供高达1.1A的调节电流(可保证800mA)。采用独有的自适应模式开关技术,可为摄像模式或背光提供极高的效率(高达92%)。即使是在低电池电压情况下,其极小的开环输出阻抗仍可实现最大的自光LED闪光灯亮度。这两款器件仅需三个微型陶瓷电容,省去了升压型DC/DC转换器和薄型电感器,确保满足翻盖器式手机对器件高度的要求。MAX1577Z/MAX1577Y的1MHz高速开关频率可使用非常小的外部元件。经过优化的稳压方案确保具有低EMI和低输入纹波。
简介:GaN基功率器件技术正在快速发展,其应用已扩展到包括太阳能逆变器在内的更广阔的应用领域。由于固有的针对高、低压电能变换拓扑的可扩展性,并且其优值(FOM)较Si基器件有非常冠著的改善,GaN功率产品注定会埘未来高效光伏太阳能逆变器/变换器产生直接的影响。GaN基器件能降低每一级电能变换所带来的损耗,所以它将有助于增加收集到的总能量。将其与驱动集成电路和其它部件集成在一起,可以缩小系统尺寸,并推动大规模的商业化生产。本文介绍了GaN基功率技术的最新进展、未来产品路线的发展趋势,以及传统逆变器的和光伏微逆变器中AC/DC和DC/DC拓扑的实测结果和仿真实例。
简介:本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。
简介:ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC