简介:简述了超结MOSFET的诞生及其基本原理和器件可靠性;介绍了超结MOSFET的一些不足和针对这些问题进行的改进;最后简要介绍了基于超结理论的一些新型功率器件。
简介:为了集成电路的低成本和高性能设计,文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺,给出了微波无线通讯系统的集成方案,从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题,同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。
简介:本文分析了低压中小型锅炉水处理现状和问题,介绍了YXF-A锅炉除垢防垢剂及其应用,提出加药处理是低压中小型锅炉实现不结垢运行的有效途径.
简介:<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率
简介:无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开天速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。
简介:仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比,这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比,它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。
简介:新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势,包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程,特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高,将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶,具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点,在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。
简介:况忠,男,中共党员,1968年12月出生,1987年参加工作,1995年任中国电信重庆市石柱分公司网络部主任,2003年任副总经理。
简介:周从阳,男,2008年进入中国联通重庆北部新区分公司,成为一名维护人员,他始终把“客户满意就是对我最大的认可”这一座右铭作为追求目标。在平凡的岗位上,从事平凡的工作,但从他平凡的封面却能感受出他不平凡的一面。
超结MOSFET的最新发展动向
基于SiGe异质结的双极型晶体管设计
低压中小型锅炉实现不结垢运行的有效途径
瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET
最新超结功率HOSFET使大功率硬开关拓扑电路的使用成为可能
在500V电压等级的AC/DC应用中最优化平面型MOSFET与超大结MOSFET的竞争
一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件
辛勤耕耘,电话“村村通”结硕果——中国电信石柱分公司副总经理况忠同志先进事迹
辛勤结硕果 青春谱华章 2013-2014年度全国用户满意电信服务明星——重庆联通装维班 周从阳