简介：HKC应用MagicGreen技术的两款负离子显示器型号为775CN(17寸纯平)和DF998A(19寸纯平)。率先将“氧吧“功能应用到CRT显示器上，全面倡导绿色环保的健康新概念。MagicGreen集成了负离子、远红外和光触媒三种技术。针对性地解决了长期电脑使用者所面对的健康困扰。

简介：DJ-型电解离子接地极是一种性能优越的新型高效接地材料。使用电解离子接地极构建的地网．可以解决采用传统方式构建的地网受季节气候变化影响．降阻剂随土壤水分流失导致接地电阻值增大的弱点。不论从性能上．经济效益上都具有巨大的优势．特别是在场地狭窄．地质条件恶劣的场所，它是一个不可替代的解决方案。

简介：本文着重介绍用于对清洗后电路板上的残余离子污染物的测试手段,国外关于此领域的相关标准以及这些相关标准和手段的发展过程.比较了不同仪器的一些主要参数和应用现状,部分用户需求动向和如何满足的方法.

简介：钠是地球上储量较丰富的元素之一,与锂的化学性能类似,因此也可能适用于锂离子电池体系。钠离子电池相比锂离子电池有诸多优势,如成本低,安全性好,随着研究的深入,钠离子电池将越来越具有成本效益,并有望在未来取代锂离子电池而被广泛应用。介绍了钠离子电池正极材料、负极材料的最新研究进展,分析了该电池未来的研究发展方向。

简介：1超微细MOS中的离子注入对于离子注入技术,可以说从浅结注入开始大约已有10年的研究历史,有关该技术的研究结果已有一些已经发表,诸如,预非晶化和低能量注入以及灯退火(RTA).

简介：随着电子产品向小型化、高功能化方向的发展，离子迁移现象已经成为影响线路板绝缘和稳定的一个因素，因此研究和防治离子迁移现象已成为现在和未来电路板（尤其是高集成电路板）质量和稳定性的不可忽略的重要方面。

简介：有一种离子交换树脂能除去化学镀槽或蚀刻槽中含有络合物或螯合物中的铜和镍,数据显示,这种离子交换树脂对于在氨、强碱性和羧酸型螯合物溶液中除去铜和镍都是有效的。这种离子交换树脂在移动床离子交换设备中是可以连续处理的。

简介：在PCB生产过程中存在有大量的工业废水。这些工业废水大多舍有Cd3＋、Fe3＋、Cu3＋、Al3＋、Sn2＋、Pb＋金属离子，这些工业废水若不经过任何处理直接排放在大地或河流，将会对自然环境造成污染．下面就如何利用FeCl3蚀刻废液和电镀（Sn、Pb、Cu）等废液本身作混凝剂，进行PCB工业废水的处理，以达到国家污水排放标准即受到良好的效果。

简介：介绍了一种利用直流电源进行微盲孔和通孔同时电镀的工艺，同时给出了相关的工艺条件和电镀效果。

简介：发挥你的想像力，你所能想到的最高端家用电脑什么样?64位处理器、19英寸液晶显示器、DVDRW、超大硬盘、大显存独立显卡……这些其实只是标准配置。近日，方正科技推出了一款号称“至尊版”家用电脑K1009100。

简介：我们大家习惯的影视画面比例通常是4：3、16：9以及2.35：1等模式，而在2009年的建国60周年大庆上，天安门广场人民英雄纪念碑前矗立起两块超长的显示屏幕，画面的宽高为8：1的比例，除了配合国庆主题显示标语口号外还能播放清晰的动态影像，其超大的尺寸给广场的游客带来了视觉上的震撼和新奇的感受。但是在国庆后不久就和其它庆典设施一同拆除了。这不能不说是个不小的遗憾。2010年五一节前，北京市委宣传部决定将大屏幕重新安装在原址并打算永久设立，成为天安门地区新的标志景观。并由天安门地区管理委员会负责实施，而播放内容则由中央电视台和北京电视台共同摄制。因为具体实施上的需要，北京电视台邀请笔者参与了拍摄制作。主要负责《北京颂》的拍摄制作。

简介：工业在2005年8月18日面向新闻界召开的技术发布会——“斯巴鲁移动技术展2005”上，公开了使用锂离子的新型电容器“锂离子电容器”，同时还宣布将向其他公司提供这一技术。富士重工业希望新型电容器市场的扩大能够促使新型电容器更快地提高质量、降低价格，以便最终应用于汽车领域。

简介：棕化工艺中的铜离子浓度对棕化效果具有显著影响,当铜离子浓度过高时,棕化缸体的底部或缸壁会不断析出黑色结晶;黑色结晶加剧过滤系统的堵塞以及缸体脏污,从而不断降低药水交换速率及药水活性,进而产生棕化不良现象;本文就铜离子在高浓度状态下产生棕化不良的改善方法进行阐述。

简介：本文简要介绍了新型锂离子电池的结构、工作原理、发展过程，列举了日本索尼公司和天津力神公司生产的锂离子电池的型号、规格及其应用领域，最后提出了锂离子电池技术发展的三个方向。

简介：本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.

简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。

简介：随着互联网技术发展和5G通信技术的突飞猛进，传统电视行业面临着挑战，同样有重大机遇，一方面可充分利用5G技术的高可靠性、低延时、高速率及大带宽的特点推动视频制播及媒体融合形态的发展；另一方面大力推进和普及水超高清电视技术，推动中国水／UHD技术进程，有效提升电视传播吸引力，能让越来越多的家庭回归到电视机前，拥有影院般的观看体验。这些新技术的应用是广电相关产业推进供给侧结构性改革的重要机遇和重大契机。

简介：质谱（MassSpectrometry）是带电原子、分子或分子碎片按质荷比（或质量）的大小顺序排列的图谱。质谱仪是一类能使物质粒子高化成离子并通过适当的电场、磁场将它们按空间位置、时间先后或者轨道稳定与否实现质荷比分离，并检测强度后进行物质分析的仪器。

简介：当我拿到这张CD之时，并没有引起多大的关注，因为现在的音乐制品太多了，重复、没有新意、低成本炒作的产品太多了．让人何“审片”疲劳之感，但当我仔细看了此CD所附的小册子，并认真的听完这张唱片之后，我真的很感动。音响发烧作为一种爱好，热了10多年．发烧唱片出了不少，多是从声效上做文章．而真正以教学目的为宗旨，让人玩好器材的唱片则未见,如此说有点绝对，因为坊间也出过一些产品，但不够专业，且有误人子弟之嫌。

简介：针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。