简介:引入点态非方常数的定义并给出其等价表达形式,同时给出点态非方常数在赋Luxemburg范数Orlicz序列空间和Orlicz函数空间的估计以及在1p和Lp空间的计算值.
简介:我们考虑二阶方程Dirichlet边值问题混合元的超收敛.在正则矩形网格上,采用一阶Raviart-Thomas混合元空间,对有限元解经后处理后,其收敛于精确解的速度从二阶提高到四阶.
简介:本文提出了求矩阵A的Jordan标准形的另一方法:利用rank(λ(E-A)^P的结果,得出了对应于特征(λi的Jordan块的阶数和个数,然后求出矩阵A的Jordan标准形.
简介:文章考察了相邻双侧边盖驱动方腔流动(即上壁面向右运动和左侧壁面向下运动)的三维线性整体稳定性.首先,采用Taylor—Hood有限元方法并经由Newton迭代过程计算得到双侧边盖驱动方腔流动的二维稳态基本流.其次,Taylor—Hood有限元在ChebyshevGauss配置点上进行离散,同时Gauss配置点也可以用于线性稳定性方程的高阶有限差分格式离散.然后,离散得到的矩阵形式的广义特征值问题可以结合shift-and—invert算法采用隐式重启Amoldi方法计算.最后,通过对线性稳定性方程特征值的计算,发现了一个最不稳定的驻定模态和两对对称行波模态.最不稳定的三维驻定模态的临界Reynolds数为Ree=261.5,远远小于二维不稳定的临界Revnolds数Ree2d=1061.7.通过画出这3类三维不稳定模态的流向扰动速度和扰动涡量的空间等值面图像,可以发现不稳定扰动位于稳态基本流的两个主涡区域,因此可以认为主涡区域是三维扰动失稳的主要能量来源地.
简介:在相同的反应体系中当ph值从约9.5调变至11时分别合成出双中孔SiO2和六方中孔SiO2材料,并用XRD、N2吸附、TEM、TG/DTA和FTIR等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明,双中孔SiO和六方中孔SiO2是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔SiO2相比,双中孔SiO2也具有典型中孔材料的特征XRD谱图,虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单XRD衍射峰(d=5.2nm),但它却给出一种独特的N2吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与SiO2骨架间相似的相互作用,两类材料给出类似的FTIR谱图和TG/DTA曲线。然而,在双中孔SiO2的FTIR谱图中960cm处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔SiO2较六方中孔SiO2具有更高的骨架聚合度。更多还原