简介：利用边界元法编制了计算磁控注入枪的程序，并使用该程序设计和模拟一个工作在35GHz，70kV，10A基波回旋放大器的单阳极磁控注入枪，得到较好的计算结果。并给出了工作电压、磁场分布对电子束性能的影响。结果表明，边界元法在分析磁控注入枪系统和回旋器件电子光学方面是一种非常有效的方法。

简介：<正>在IEEE国际电子设备会议上,IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果,将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。IBM表示,五十多年来,计算机处理器一直在以惊人的速度提升性能、缩小尺寸,而且如今已经完全依赖于CMOS工艺技术,但随着摩尔定律逐渐接近极限,传统方法很快就会走

简介：摘要现阶段的电力工程建设，正不断的拓展规模和类型，在数量的增长上也是非常明显的。我国虽然是一个发展中国家，可是对于电力工程的重视程度较高，这对于居民的生产、生活而言，都会产生巨大的影响力。电缆排管施工技术的应用，能够对电力工程的安全性、稳定性做出大幅度的提升，很多工作的安排，都可以按照全新的理念、标准来完成，整体上未造成严重的缺失和疏漏现象。文章针对电缆排管施工技术在电力工程中的应用展开讨论，并提出合理化建议。

简介：

简介：<正>杰尔系统(AgereSystems)近日宣布:推出五款高性能的射频超模压塑封装晶体管,将使封装成本下降高达25%。杰尔的解决方案不仅能够降低基站的整体成本,而且还可加快无线基站放大器设备的大规模部署。这些塑料封装的晶体管将用于无线基站放大器-无线基站中最昂贵的组件之一。

简介：简要介绍了利用深反应离子刻蚀制作折叠波导慢波结构的现状及制作的工艺流程。对深反应离子刻蚀掩膜制作即光刻工艺,以及折叠波导慢波结构的深刻加工进行了深入的研究。详细分析了各光刻工艺对光刻胶图形的影响,尤其是前烘对光刻胶图像侧壁垂直度的影响;在深反应离子刻蚀中,还详细分析了刻蚀时间、下电极功率以及刻蚀气体气压对刻蚀结果的影响。经参数优化后获得最佳工艺参数,并制作出带有电子注通道的W波段折叠波导慢波结构,慢波结构深为946μm,侧壁垂直度为91°,电子注通道深为225μm,侧壁垂直度为90°。

简介：RFLDMOSs}／率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点，广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务，LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管，利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后，s波段LDMOSs}／率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3．1～3．4GHz频率范围内，输出功率大于13．8W，功率增益大于12．4dB，效率大于37．9％。

简介：火车大鹤管装车是大型石化企业应用的一项新技术,它具有提高装车精度和效率,降低损耗,减轻工人的劳动强度,便于工厂管理等特点。实现了多项新技术的第一次应用和探索,如控制主阀采用进口液动阀门、实现了多段控制功能、多样的控制回路和方案、现场安全的就绪按钮、功能齐全、简单实用的控制软件,实现软件设定小爬车防撞功能,保护了大鹤管设备的安全运行,在国内大鹤管控制系统领域处于技术领先位置。

简介：本文通过几种非ODS清洗剂与CFC-113清洗剂性能的比较,同时简要说明了真空开关管的生产过程中各种清洗剂的使用情况,说明了HEP-2清洗剂替代零部件清洗和整管带电清洗中使用的CFC-113清洗剂的情况.

简介：<正>据国外媒体报道,MIT的科学家已经研发出了一种新型晶体管,新的晶体管通过材料原子结构中的洞孔来让电流通过,速度是当前晶体管的4倍左右。为了能够提升速度,科学家们将锗放置在不同的硅层上和硅符合产品上,随后锗

简介：<正>由意大利和美国科研人员组成的团队首次创建出基于硅烯材质的晶体管。他们发表在《自然·纳米科技》杂志上的论文描述了如何研制这种材料。硅烯是一种由单个原子厚度的硅制成的材料,就像石墨烯一样,被证明具有超凡脱俗的导电性能,这意味着它在未来电子产品中将大有用武之地,特别是人们对获得更快或更小的计算机芯片抱有无限希望的情形下。问题是,硅烯非常难制备,用单张硅烯来完成工作更是难上加难。距离物

简介：介绍了用晶体管超声波发生器替代电子管超声波发生器对超声波清洗设备进行技术改造的经验，实践证明通过这种技术改造既可减少发生器自身的功耗，又可节省维修费用，取得显著的节能效果。

简介：<正>飞兆半导体公司是高性能功率半导体和移动半导体解决方案的全球领先供应商,通过引入100VBoostPak设备系列优化MOSFET和二极管选择过程,将MOSFET和二极管集成在一个封装内,代替LED电视/显示器背光、LED照明和DC-DC转换器应用中目前使用的分立式解决方案。

简介：文章对带有外观检验功能的TO-252晶体管全自动测试／打标分选机的工作原理、软件和硬件设计进行详细介绍。该设计中首次引入测试推管机构，以解决因TO-252管脚太短、产品管脚与金手指接触不良引起的产品电参数测试误测问题；同时，在生产流程中引入外观检验工位，对测试、打标后的产品打标内容和管脚外型尺寸进行自动检验，很好地避免了成品中出现外观不良的产品。实践证明，该机具有自动化程度高、运行高速可靠、操作安全方便、维护简单、性价比高等优点，客户使用后反映良好。

简介：意法半导体推出了采用先进的PowerFLATTM5×6双面散热（DSC）封装的MOSFET晶体管，新产品可提高汽车系统电控单元（ECU）的功率密度，已被为全球所有的汽车厂商提供先进技术的汽车零配件大厂电装株式会社选用。

简介：<正>近日,应用材料公司拓展了其AppliedEnduraAvenirRFPVD系统的应用组合,实现了镍铂合金(NiPt)的沉积,将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键,但是在高深宽比(HAR)的轮廓底部沉积材料是一个极大的挑战。为确保触点阻抗的一致性和最佳产品良率,Avenir系统为HAR深达5:1的触孔提供了超过50%

简介：<正>在未来十年左右的时间里,蚀刻在硅基电脑芯片上的电路预计就将变得小无可小,从而促使人们寻找替代品来取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作为替代品的问题上,有些研究者正对碳纳米管寄予厚望。近日,斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路,这个电路是由44个完全以丝

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：<正>据韩联社11月5日消息,韩国未来创造科学部5日表示,韩国庆尚大学和中央大学的研究小组近日研发出可用于下一代柔性显示器的半导体液晶管,该材料的电荷载子迁移率为12,达到世界最高水平。据介绍,为了使半导体液晶管用于柔性面板AMOLED等下一代显示器,电荷迁移率应超过10,但现有半