简介：1．安全裤：很容易买的到，从外观上来说就像一般简单的紧身短裤，颜色有许多种可以依照扮演角色的下着来选购，主要的用途是除了内衣外，多了一层保护。

简介：相态变化主要有物理转变和化学反应两类。物理转变包括结晶／熔融、液晶转变等相转变、玻璃化转变；化学反应包括聚合、固化、交联、氧化和分解等。由于氟聚合物的使用环境温度与其的玻璃化转变温度比较接近，笔者主要借助DSC热分析仪、X射线衍射仪、红外原位反应池、高温高压反应池等仪器研究了氟聚合物在相态转化过程中的相关物理性能变化，探讨了相态转变时分子链锻是否会发生变化。

简介：通过解Mathieu方程得出了“自由电子模型”的能级和波函数,其解比用微扰法得出的结果更精确。结果表明,微扰势只使那些级数为n=3k(k=1,2,3…)的能级发生分裂,简并消除

简介：全氘代聚合物泡沫作为一种特殊的低密度、微孔聚合物泡沫，在激光惯性约束聚变（ICF）研究中除了直接用于ICF靶材料，以增加单位靶中热核燃料的密度外，还可用在冷冻靶中以提高液体氘氚的浸润性及分布的均匀性，减小瑞利一泰勒界面不稳定性，以加强中子和分光镜的测量，研究和诊断内爆物理实验等。

简介：在实验中，首先利用精密数控车床加工铜芯轴，在铜芯轴表面电镀再覆盖金，硝酸腐蚀，最终得到φ400μm，长度700μm，壁厚20μm，两端开口的金柱腔。将洁净的金柱腔固定在靶杆上，然后将固定好的金柱腔浸没在掺杂丙烯酸酯单体溶液中，使溶液自动充满整个柱腔。溶液以掺杂丙烯酸酯单体（五氯苯酚丙烯酸酯（AE1）、五氯苯酚2-甲基丙烯酸酯（AE2）、五氯苯酚丁烯酸酯（AE3）），三羟甲基丙烷三丙烯酸酯（TMPTA）或者季戊四醇四丙烯酸酯（PETA）单体，聚氧乙烯十二烷基醚（Brij30）或者正癸醇（DEC）为溶剂，安息香甲基醚作为光引发剂（添加量为单体质量的1％），通过针管向石英管中通氮气5min达到除氧目的，距离石英管1cm远处，使用紫外光灯照射金柱腔中的单体溶液约3min，光强6．30W／cm^2，单体溶液经过紫外辐照后在金柱腔中生成聚合物凝胶。聚合物凝胶在甲醇中浸泡24h，然后使用二氧化碳超临界干燥（控制温度34℃，压力8．0-9．0MPa，保持4h）除去甲醇，最终在金柱腔中得到聚合物泡沫，各阶段照片如图1所示。

简介：辐射输运研究是惯性约束聚变实验研究的重要内容。在这类实验中需要研究辐射输运沿柱腔内填充的聚合物泡沫材料的传输问题。多元丙烯酸酯聚合物泡沫适用于ICF柱腔靶填充泡沫，并且可以直接在柱腔或各种形状的靶中成型，无须后续的精密加工过程，消除了泡沫柱与柱腔之间的装配误差。

简介：用费波那契数列（ＦｉｂｏｎａｃｃｉＳｅｑｕｅｎｃｅ）计算规则联接的电阻、电容网络的等效值，方法特别且较常规的电阻（电容）串并联解法方便、快捷。

简介：苯系物作为一类常见的挥发性有机污染物对人体危害极大，因此研究并建立空气中苯系物的快速检测方法十分必要。固相微萃取（SPME）技术非常适用于快速的污染物定性定量检测，但用于检测空气中苯系物研究较少，有研究表明多种物质在萃取纤维上也存在吸附材料上常见的竞争吸附效应，从而导致常用的标准曲线法定量可能无法反映实际样品的组成。采用多组分苯系物标准气体分析萃取头的吸附情况，考察各种参数对SPME萃取头上存在的竞争吸附行为。

简介：采用硝酸铟、硝酸铜和高分子材料作为静电纺丝的前驱体溶液，经过静电纺丝及高温煅烧，获得一维氧化铟／氧化铜复合纳米纤维，制成气体传感器，并对其气敏性进行测试及分析。

简介：聚苯硫醚（PPS）以其高温稳定性、阻燃性、耐化学腐蚀性及良好的机械和电学性能受到关注，但PPS存在脆性大，韧性差的缺点。聚醚醚酮（PEEK）的耐热性是热塑性树脂中最优异的，还具有优异的综合力学性能、电性能等，但由于PEEK熔融温度（Tm=334℃）高，熔融黏度较大，给其成型加工带来困难。

简介：二维红外光谱（2D—IR）是近十几年兴起的基于时间分辨红外信号的分析技术。该技术通常采用一定的外界扰动（如温度、浓度、磁场等）作用在样品体系上，检测并记录样品在激发和后继的驰豫过程中的光谱变化。对上述外界扰动下获得的随时间变化的光谱信号进行数学上的相关分析，从而产生二维相关光谱。二维相关光谱可以提高谱图分辨率，简化含有许多重叠峰的复杂光谱，阐明官能团之间的各种相互作用，是研究分子内、分子间相互作用的一种强有力的手段。

简介：测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其电性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和电性能的影响。实验发现：ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体（晶粒内）的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。