简介：近日，有分析人士认为，当前电子元器件市场正发生变化。由一股“红色力量”服务和引导的广大电子元器件厂商正在创造元器件行业内的“第一速度”。以搜索技术独树一帜的电子元器件查询网正在其中扮演重要角色.

简介：<正>日前,批量成像设备供应商得可公司(DEK)大中华区电子组装部总经理黄俊荣表示,随着海外制造工厂向大陆转移,中国大陆电子制造业机会无限,得可对中国市场亦重视有加。不过,中国仍以中小型制造企业居多,SMT大型企业较少,整体制造品质不高。

简介：介绍全压接结构器件采用负斜角造型的方法，并对使用葫芦串方法腐蚀台面、进口双组份硅橡胶浇注保护台面等关键技术进行分析和讨论。

简介：皇家飞利浦电子公司日前采用微缩超薄四方扁平无引脚(DQFN)封装，推出业界最小的BiCMOS逻辑器件。飞利浦采用DQFN封装，可以提供与目前较大的BiCMOS逻辑器件同样的性能特征，而封装体积却缩小了35％。

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介：微电子是IT行业发展的典型代表,微电子器件的应用,需要做好静电防护的工作,以此来提高微电子器件的性能,避免影响其在应用中的表现。因此,本文重点探讨微电子器件的静电防护措施。

简介：<正>日前,欧洲半导体分销和制造协会DMASS表示,2004年第二季度欧洲电子元器件分销总值为12.2亿欧元,比上年同期增长18.8%,比第一季度增长1%。在四个规模较大的市场中,法国增长速度最快,增长率为21.8%,德国为17.2%,意大利为12.3%,以及英国为6.9%。从产品类型上看,存储器产品独领风骚,在2004年第二季度涨幅达到50%

简介：微波器件的可靠性直接影响整机系统的可靠性，失效分析工作可以显著提高微波器件的质量与可靠性，从而提高整机系统的质量与可靠性。同时，失效分析工作会带来很高的经济效益，对元器件的生产方和使用方都具有重要意义。微波器件失效的主要原因有两个方面：固有缺陷和使用不当，固有缺陷由生产方引起，使用不当主要由用户引起。微波器件可以分为微波分立器件、微波单片电路以及微波组件三大类，文章分别对三类微波器件的主要失效模式和失效机理做了较为全面的分析和概括。

简介：从电子元器件的选择、控制和使用等诸多方面讨论电子元器件的应用可靠性，包括质量等级、失效率等级、选择原则与质量控制；微电子器件的应用可靠性(过应力损伤、降额使用、二次筛选)；阻容元件的使用可靠性(电阻器、电位器、电容器)及其他元件的选择和应用(继电器、微波元件、连接器)。

简介：文章通过研究表明，密封元器件内部气氛中的氢气对镓、砷化物或硅器件的可靠性有长期的影响，钛氢化合物的形成可以造成GaAs器件物理变形，进而导致器件失效。试验分析表明，密封元器件内部氢气主要来自封装金属基底中吸附的气体，这些气体在热应力条件下扩散到腔体内部。试验证明在元器件封装前对封装材料进行排气处理，可以有效地将材料中的氢气释放。通过对可伐合金在不同条件排放的氢气含量的测量与分析，进一步验证了腔体内部氢气的来源，并得出随着热应力时间的延长，氢气的排放量有增长趋势的结论。

简介：手机电路中的基本元件主要包括电阻、电容、电感、晶体管等。由于手机体积小、功能强大，这些元件都采用贴片式安装(SMD)，下面就具体地看看这些基本的元器件。

简介：造成电子元件损坏的原因现在，电子元器件故障除静电直接放电外，附近的其他放电所产生的强电磁场也可能轻易地损坏今天的高速系统，且系统速度越快，越易受到影响。有实验表明：1～3ns的放电就可以产生强电磁场。在1ns的时间内，放电相应带宽就高达300多兆赫，因此，现代高速系统一般都采用VHF／UHF屏蔽及接地技术。

简介：作为一种新型的集成封装技术，低温共烧陶瓷（LTCC）技术以其优良的高频和高速传输特性，小型化、高可靠性而备受关注。由此可见研究如何利用LTCC技术开发高性能的小型化无源器件对于无线通信产品的发展是有实际意义的。LTCC技术能充分利用三维空间发展多层基板技术，其产品在封装和小型化方面具有明显优势；LTCC技术具有损耗小、高频性能稳定、温度特性良好等特点。同时介绍了国内外LTCC元器件发展现状和趋势，以及基于LTCC技术的无源器件的设计和应用。

简介：阐述电源热分析的重要性，提出了在开关电源设计中面临的热问题，开关电源主要元器件的功耗分析在开关电源热分析中的重要意义，元件布局及冷却方式的选择具有指导意义。

简介：简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.

简介：太赫兹频谱有很多优越特性,在生物医疗、安全检查及军事领域中具有重要的应用前景。太赫兹源是太赫兹波领域研究中的关键技术,制约着太赫兹技术的发展。从介绍太赫兹源的研究与发展动态出发,阐述了雪崩渡越时间二极管(IMPATT)器件的工作机理、等效分析模型及注锁牵引稳频振荡理论,给出了几种基于IMPATT管获取电子学固态太赫兹源的方法。

简介：简介光子晶体及其光纤通信用光子晶体器件(它们分别是光子晶体光纤、光子晶体光波导、光子晶体激光器、光子晶体滤波器和光子晶体波长复用/解复用器)的基本工作原理和制作技术以及目前的研制状况.

简介：从电子元器件的选择、控制和使用等诸多方面讨论电子元器件的应用可靠性，包括质量等级、失效率等级、选择原则与质量控制；微电子器件的应用可靠性(过应力损伤、降额使用、二次筛选)；阻容元件的使用可靠性(电阻器、电位器、电容器)及其他元件的选择和应用(继电器、微波元件、连接器)。

简介：介绍了"黑斑"和"气泡"造成的有机发光二极管失效的过程,对影响器件稳定性问题的诸多因素进行了分析.

简介：由于PDs0I工艺平台的特殊性，P阱浓度呈现表面低、靠近埋氧高的梯度掺杂。常规体硅的高压N管结构是整个有源区在P阱里的，需要用高能量和大剂量的P注入工艺将漂移区的P阱反型掺杂，这在工艺上是不容易实现的。文章针对常规高压NMOS器件做了仿真，发现漂移区必须采用能量高达180KeV、剂量6×10^13以上的P注入才能将P阱反型，形成高压NMOS器件，这在工艺实现上不太容易。而采用漂移区在N阱里的新结构，可以避免将P阱上漂移区反型的注入工艺，在工艺上容易实现。通过工艺流片验证，器件特性良好。