简介：

简介：通过分析"抚顺-营口"管线漏磁腐蚀检测器的模拟器卡堵的原因,提出采用磁力清管器的解决方案,清洗干净了整条管线,解决了管道中由于铁磁物质造成的清管器卡堵的问题.

简介：重庆管局通过主动上门到企业征求意见等形式，全方位、多层次、多途径征求各服务对象以及广大党员干部群众的意见，为不断改进机关工作作风、提高工作效率、提升通信监管水平和服务质量奠定了坚实基础。

简介：信息战已成为现代战争的主要特点,而要赢得信息战,在很大程度上取决于对战场信息的有效管理与控制。基于信息化战场的需求,考虑了战场信息海量、多元、复杂、动态、异构、移动等特点,以及信息交互的精确性、实时性、可靠性和安全性要求,从信息感知、信息访问、信息传送控制和支撑服务四个方面,对实现战场信息有效管控的关键技术进行了探讨,并结合实际工作提出了相应的解决措施和实践思路,以期对我军战场信息管控系统的研制与建设有所裨益。

简介：

简介：CRT显示器用为一项技术成熟的产品，与LCD显示器在性价比上的优势使其在专业图像领域的用户内仍有一定数量的用户拥载．而最近开始流传一个新名词——“方管”技术，它号称攻克了传统CRT显示器的多个难题．并被称为是显示器发展历史上的又一次重大革新和突破．甚至有人认为“方管”显示器在显示的精准方面媲美LCD显示器．种种传言莫衷一是。那么到底什么是“方管“技术．“方管”技术到底能给我们带来多大的惊喜，我们从世界第一款采用“方管”的显示器LG的未来窗XP上可以看出一些端倪。

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：

简介：对35micro-x封装的微波晶体管防自激老化电路的各部分功能进行了详细介绍,讨论了如何判定管子是否处于稳定工作状态的方法。通过在测试间里搭建老化电路,模拟实际老炼状态,使用红外热像仪测试壳温的方法,比较了不同散热条件下的壳温测试数据,得出了管子的壳温以及管帽和管底之间的温度差。试验证明：在管底使用铝块和导热硅胶相结合散热的方法,能解决35micro-x封装形式的低结温晶体管老化过程中的结温控制问题。

简介：<正>Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarprocess)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。

简介：产品简介：指示器安装了1、2和3色觉（根据基本色的数量），可以使几种颜色任意结合。基本色包括红，绿，蓝，黄，白。每种基本色由一个高效的二极管提供。指示器的前界面由防闪光的漫射材料制成。可用喜欢的颜色和尺度照亮方形和箭头形的记忆标志。这种记忆标志显示是在一种特殊的光导和特殊的漫射中通过光重组而产生的

简介：本文介绍节能灯用晶体管的技术特性和发展现状,尤其是一些新型高反压高速功率晶体管,可用来进一步提高节能灯的质量及安全特性。

简介：探讨了多链综合应用环境中数据链信息服务系统管理类数据管控技术、平台间战场战术指令与战场目标信息分发策略,研究了复杂数据链网络环境中各平台探测目标信息分发策略,以保障分布式航迹处理环境的形成,为新-代数据链信息服务系统建设提供思路.

简介：<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz～1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出

简介：2012年9月27日，重庆市通信管理局印发了《重庆市通信行业贯彻落实宽带普及提速工程大力实施“光网·无线宽带重庆”建设实施方案》，以进一步推动我市宽带普及提速工程的实施。

简介：

简介：基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。

简介：传统射频LDMOS晶体管的源区采用重掺杂p＋sinker结构,该结构会占据较大的芯片面积。文中采用槽型sinker结构,可将源区sinker面积减少1/3以上。通过流片实验,得到饱和电流为170mA/mm、击穿电压120V、截止频率和最大振荡频率分别为5.5GHz和10GHz的RFLDMOS器件。在50V工作电压、1090MHz频点下栅宽345mm单芯片器件的最大输出功率362W,功率增益15.6dB,漏极效率38.1%。

简介：空战场管控是联合作战各类用空行动协同的重要抓手,对于提高战场空域资源使用效率,提升联合作战效能至关重要。首先,对联合作战空战场管控的概念进行了界定,论述了联合作战空战场管控的重要地位作用;然后,分析了外军联合作战空战场管控基本做法,梳理了联合作战空战场管控的主要任务及面临的重难点问题;最后,提出了强化联合作战空战场管控能力的针对性对策建议。

简介：美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管,这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。