简介：分析了目前物理学专业电子技术课程教学所面临的困难,提出了电子技术课程教学新模式。教学实践表明,教学新模式的应用,能激发学生自主学习的兴趣,促进学生掌握相关学科的基本知识、基本理论和基本技能,提高学生的团队合作能力、综合开发能力和创新能力。

简介：基于考虑发射度效应的线性电子注边缘电子受力平衡方程，获得了约束电子注所需磁感应强度，通过对比约束不同效应所需磁感应强度的大小，推导了发射度效应占主导电子注的临界半径公式。利用该公式分析了典型电子注的临界半径，分析表明在导流系数小于0.1EA.V_32时，电子注发射度效应对电子注的影响随电子注半径减小到亚毫米量级后迅速增大。通过理论推导获得了热阴极发射的线性电子注临界半径下限公式，分析表明采用较大负载的阴极有利于获得较高质量的电子注，且在电子注半径小于0.05mm后，常规热阴极的发射能力已不足以保证电子注工作于空间电荷限制状态。此外，在用缩尺法设计电子枪时，若缩尺后的电子注半径小于临界半径，则缩尺法将失效。

简介：温度从室温到10ev的状态方程一直是实验室和工程应用中关心的重要问题，在这个温度范围内存在大量的实验状态方程数据，对各色各样的理论模型提出了强烈的挑战，对低温稠密等离子体而言，TF模型的计算结果不再令人满意。Zink在早些时候对TF模型作了非自洽的电子壳层效应修正，但他给出的壳层效应明显太强了。Rozsnyai则把Zink的方法发展成一种成熟的自洽场方法，但他只计算了电子的动压，在低温情况下，压强的走向不对，无法在常温常密度附近形成固体。

简介：探讨了利用多媒体技术进行《模拟电子技术》课程教学手段改革的必要性,多媒体技术的发展为《模拟电子技术》课程教学手段改革带来的启示,科学有效地使用多媒体是教学手段改革的关键。多媒体技术在教学领域中使用存在的问题及其展望。

简介：设计了一种结构简单、噪声低、功耗小的溴化镧（LaBr3：Ce）γ谱仪前端读出电子学电路。该电路包括电压灵敏前置放大电路、谱仪放大电路和供电电源3部分，电路的设计基于传统核电子学方法和较新的电子元器件，采用低噪声设计技术，在能谱测量中获得了较高的能量分辨率。文中首先介绍了电路的设计方案，包括各部分电路原理、功能和设计要点；然后开展了电路仿真和电路板设计；最后通过实验进行电路功能验证。实验表明：基于研制的前端读出电子学电路、溴化镧（LaBr3：Ce）探测器及数字多道分析器组成的γ谱仪系统，对137Cs662keVγ能峰的能量分辨率可达2.7%，谱仪系统性能稳定。

简介：由于电子离子碰撞实验多在低温极稀密度下进行，所以国内外在这方面开展的研究大多以零温自由原子模型（FIAM）为主，给出的数据多为不含温度密度效应的细致组态数据。文中首先选用含温有界平均原子模型（AAM）简化等离子体中大量的离子类型，使计算等离子体中离子的电子离子碰撞电离截面简洁快速，更主要的是计算结果从最基本的微观参数方面就自动包含了温度、密度效应。在碰撞公式方面采用了扭曲波波恩交换近似方法。

简介：在X波段相对论返波管中引入多电子束发射阴极,采用三维共形全电磁PIC粒子模拟软件对返波管进行了模拟。结果表明：多电子束发射阴极的面积为环形阴极面积的20%,产生的电流与环形阴极相同;采用多电子束发射阴极的相对论返波管能稳定地输出功率。与采用环形阴极的相对论返波管相比,由于多电子束发射阴极所产生的电子束与电磁波的相互作用降低,器件的输出功率下降11%,达到稳定输出功率的时间延迟5ns。

简介：电子元件有线性和非线性两种,它们在电路中起不同的作用。而非线性电子元件的功率问题是实际电路应用中必须考虑的问题。在中学物理教学中,该问题也是高考与竞赛的热点。具体电路中电子元件连接方式不同,解决方法有所不一样,这对学生能力的要求比较高,本文就如何快速识别并正确解题作些有益的探讨。

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

简介：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

简介：为了满足我国正在建设的白光中子源（whiteneutronsource,WNS）需求,设计了具有共性化架构的C6D6谱仪读出电子学系统。该系统基于波形数字化技术和PXIe平台,实现对γ能谱和中子飞行时间的测量。介绍了系统设计方案,详细阐述了信号调理模块、时间测量、PXIe平台及相关软件的设计与实现,并开展了系统性能测试和联调实验。测量结果表明：该系统能够正确获得测量数据,满足了白光中子源的首批实验需求。

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：利用微扰理论，研究一维区域运动的自由电子，在受到弱周期势场的作用，给出在这种周期势场中的一维电子能谱，并与自由电子的能谱作比较。

简介：阐述了利用法拉第效应测量电子荷质比方法的基本原理，包括样品色散关系的测量和非线性拟合。测量不确定度的深入分析表明，磁感应强度B与对应的旋光角θ的测量最为关键，其次是样品的色散关系，这为进一步提高测量精度指明了方向。

简介：在神龙1号直线感应加速器（LIA）束参数测量工作中，采用的同步触发系统主要是由延时同步机如DS310完成的，它虽然可以产生较大时间范围内的延迟，但由于其工作主频为100MHz，其延迟时间设置的步长则为10ns，加上时基自身的精度，能够获得的延迟精度不会高于10ns；而Ln的其他环节（主要是发散以前的环节，如偏置Marx）在动作时也存在一定量的抖动，经实际测量约20-30ns，这样就无法很精确地确定测量时刻，如图1所示。因此在要求准确了解测量时刻及具有时间分辨测量要求的研究中，这种触发方式就不能满足要求。

简介：ＤＭＸ－Ｉ型电子模拟式手弧焊工训练器为国内首创的机电一体化的初级焊工训练器、本文对训练器商品化的前景，训练器的功能的完善等方面的问题进行了讨论．

简介：通过利用龙格一库塔方法分析了强激光与磁化等离子体中有质驱动对电子的加速问题。研究发现在磁化等离子体中，有质驱动使得电子沿轴方向发生横向振荡，电子获得高的能量增益，而在等离子体中产生的自生磁场引起的共振进一步加速了电子，使电子能量增益进一步提高。且最终电子能量趋向一个稳定值，电子在有质驱动作用下自动喷射出来，这在实际应用中容易控制，避免了使用抽取高能电子的提取器，这为新型台式加速器的设计提供了有益的理论指导。

简介：在高功率微波（HPM）的研究中，电子束同微波腔中微波场相互作用是大家所关心的问题，微波腔中电子束与微波场的相互作用，是一个闭环过程，微波场影响电子的运动，同时电子束作为电流源也产生辐射，影响微波场。不同微波腔的微波场不同，电子束同微波场的相互作用形式也不相同，但是在微波场作用下电子束群聚，群聚的电子束反过来影响微波场的自洽过程。

简介：介绍了兆伏级有界波电磁脉冲模拟器脉）中源的组成及特点。通过数值模拟分析了模拟装置等效电路,给出了峰化电容及输出开关对装置输出波形的影响,总结了峰化单元的设计特点,提出了一种低气压、低电压短间隙放电等效高气压、高电压长间隙放电的方法。同时,基于等效方法设计了结构尺寸为1：1验证实验,实测了实验电路输出电场波形。实验结果表明,采用电容、开关、天线一体化的结构设计,能够最大限度地减小峰化回路的电感,输出双指数波上升沿可达到1.8ns。该实验为兆伏级有界波电磁脉冲模拟器峰化段的设计提供了参考。

简介：基于第一性原理，计算了MgSiP2的能带结构，结果显示压强减小了能带带隙值，部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示：随着压强的增大，价带顶电子态密度的斜率逐渐减小，而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论，分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现：压强所致部分电子有效质量的减小，提高了p型和.型MgSiP2的电导率，但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下，相对于n型MgSiP2，，型MgSiP2的电导率增加幅度更大，补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低，提高了型MgSiP2的功率因子，使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明，通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能，为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。