简介：软X光扫描相机是对软X光时间特性进行研究的主要诊断工具。我们利用同步辐射作为光源，对它的静态性能：能量响应、增益等性能进行了相对标定，给出了软X光条纹相机的能量响应曲线和增益特性曲线，并与利用Henke的经验公式^[1]计算给出的响应曲线比较，其结果与理论较符合。

简介：初步测量了弯曲导管束对“水窗”波段及其附近X光的响应，结果表明X光在“水窗”段的响应，比其之外的响应要高。

简介：本文观察到BaF2:Gd，Eu通过下转换过程实现可见光发射的量子剪裁过程。Gd3+吸收一个VUV光子，通过交叉弛豫过程把能量传递给两个Eu3+，从而发射出两个可见光光子，实现量子剪裁过程。通过光谱结果的计算，其量子剪裁效率可达194％。

简介：采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构，其结果表明，二氧化钛与二氧化硅复合后，钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位，不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同，说明经过复合后二氧化钛结构发生改变，并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。

简介：本文用EXAFS对三种钴基合成柴油催化剂进行了表征，结果表明Co-Zr共沉淀催化剂与Co/Zr浸渍型催化剂钴物相主要为Co3O4,Co-Zr-Si混合沉淀型催化剂钴物相主要为Co2SiO4，共沉淀催化剂钴的配位数明显降低，钴锆相互分散好，接触界面大，因而反应活性高，重质烃选择性高，而混合沉淀型催化剂Co2SiO4物相在预处理条件下难以还原，所以反应活性低，重质烃选择性较差。

简介：本文介绍用BEPC的同步光做激发源，对所研制的平面晶体位置灵敏谱仪性能进行研究的结果。用LiF(200）晶体，测得TiKα的能量分辨率达14．2eV，好于质子激发的结果（15eV），能清楚地分开不锈钢中CrKβ与MnKα两峰，和可探测一气溶胶样品中Ti的绝对量达10^-9-10^-10g水平。这些数据将为位置灵敏谱仪用同步光开展应用提供重要依据。

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简介：本文主要利用X射线衍射技术研究由直流／射频磁控溅射方法制备的PbZr0.53Ti0.47O3(PZT)/La1.85Sr0.15CuO4(LSCO)集成薄膜的界面和表面的微结构，从而给出它的界面和表面的均方根粗糙度，有效晶粒尺寸，应变大小，用计算反射率方法对小角衍射曲线做理论模拟，从我们的实验结果可见，当所制备的铁电／超导薄膜PZT层厚度从48．7nm到996．0nm变化而LSCO层保持1000？不变时，PZT与LSCO的应变状态不同，相差近一个数量级，同时PZT层表面的均方根粗糙度略有增加，本报告对实验结果作了初步讨论。

简介：当散射体系中除散射体外还存在微电子密度起伏时，实测散射强度将形成对Porod定理的正偏离，从而使散射体的散射失真。提出了一种在长狭缝准直条件下应用模糊强度校正正偏离的方法：作出ln[q^3I^-(q)]-q^2曲线，用公式n[q^3I(q)]=InK'+σ^2q^2拟合大波矢区直线，求出斜率σ^2,作出ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2-q^2曲线即为无偏离的Porod曲线，由此曲线再还原出无偏离的散射强度，即I^-'(q)=exp{ln[q^3I^-(q)]-σ^2q^2}/q^3，再以醇热法合成的介孔氧化锆粉体为例进行了讨论。

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简介：选取不同煤化程度的五种煤样并制成600℃和800℃的半焦，应用同步辐射小角X射线散射研究了其亚微马孔隙结构，得到孔径分布、孔隙率、比表面、分形维数等许多结构参数，讨论了这些参数的变化规律。

简介：给出了北京正负电子对撞机（BEPC）同步辐射新组装的3W1Wiggler束斑强度分布及光子束流的测量结果，并与理论计算作了比较，两者得出了一致的结果。

简介：以超临界CO2为溶胀剂所制备的PET／PS共混物的小角X－射线散射（SAXS）研究表明，PET／PS共混物的结构参数与共混物的组成及热历史密切相关。按Vonk的一维电子密度相关函数法，得到共混物的结构参数。过度层厚随PS组分含量增加而增加，结晶片层厚却随PS含量增加而降低。热处理可提高共混物的结晶性。内比表面积随PS含量增加而增加是PS使PET韧性和抗冲击性能提高的本质原因。

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。