简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

简介：应用晶体相场法研究大角度晶界在外加应力作用下温度对位错运动的影响。研究表明,大角度晶界在应力作用下会发生形状变化;当变形达到临界应变时,晶界褶皱处产生位错并发射进入晶粒内部;温度较低时,晶界处位错形核所需的临界应变更大。在应力作用下大角度晶界通过改变曲率和位错运动产生迁移,温度较高时有利于晶界迁移。

简介：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.

简介：晶析现象是三水醋酸钠作为相变材料在实际应用中存在的一个很大的问题。在太阳能跨季储热过程中,我们能利用三水醋酸钠的过冷现象,长期稳定的将太阳能储存起来,但是相变材料晶析的问题依然需要解决。本文选用几种增稠剂并对添加这些增稠剂后的三水醋酸钠混合材料的晶析状况、激发温度变化和相变潜热能力的变化进行实验研究,确定了一种较好的增稠剂来减少晶析现象的发生。

简介：针对珠海“国家园林城市”需要定量评估的问题，利用遥感模型和Landsat卫星图像反演地表温度、NDVI植被指数和MNDWI水体指数，定量分析其空间分布特征及影响关系。结果表明，大部分居民区的绿化覆盖率较高，NDVI在0．1～O．2，而大部分林地的NDVI在0．4～0．5，没有出现连续大面积的高地表温度区。NDVI〉O．3时，地表温度随NDVI的增加而快速下降，而NDVI在0．0～0．3地表温度随NDVI的增加而升高，平均地表温度峰值在NDVI为0．3，裸露的海滩、河滩等滩涂表面温度较低，减弱了裸露人工建筑高温像元的影响，使得结果与已有对其它内陆城市的研究不同。地表温度随水体指数的增加而降低，呈负相关关系。茂密的绿化林地、海洋等大面积水体、大面积滩涂和沼泽等湿地对调节珠海城市热环境发挥重要作用。

简介：气压较高时,电极间隙击穿场强偏离巴申曲线。分析认为,间隙击穿前,金属微凸场致发射电流持续加热电流通道内的气体,导致气体温度上升和通道内气体分子数密度降低,由于电子平均自由程与气体分子数密度成反比,因此随着平均自由程的增大,电子更容易获得足以导致＂雪崩＂的能量,进而降低了对间隙电场强度的要求,即场致发射电流的加热效应在某种程度上抵消了增大气压对击穿场强的提升效果。推导给出了修正的气体间隙击穿场强表达式,场增强因子处于合理范围内,结论可解释实验现象。

简介：利用LS-DYNA有限元软件模拟了无限空间中TNT装药爆炸产生的冲击波传播过程,通过调整JWL状态方程参数,得到了与相关实测结果比较一致的超压峰值和正压冲量等冲击波参量。讨论了网格密度和无反射边界条件对计算结果的影响,并对当量为1kg、1t和1ktTNT空中爆炸产生的冲击波进行了数值分析,数值模拟结果符合空中爆炸相似律理论。

简介：采用自编的数值模拟程序，数值模拟了激光在大气传输中的聚焦不等晕性，分析了不同激光波长、激光发射口径、大气湍流强度及信标光高度下，聚焦不等晕性对激光发射自适应光学系统波前校正的影响，数值模拟结果与解析公式计算结果吻合较好。数值模拟结果表明，在其他条件不变的情况下，激光发射口径越大，或者湍流强度越强，聚焦不等晕性对激光发射自适应光学系统波前校正的影响就越大；激光导星的高度越高，聚焦不等晕性的影响越小。

简介：为了定量研究核数据的不确定度对西安脉冲堆keff计算结果的影响，利用国际上常用的敏感性和不确定度分析软件TSUNAMI-3D-K6及不同核数据库中的核截面数据，分析计算了西安脉冲堆两种堆芯布置下的keff及其不确定度。结果表明：核截面数据的不确定度会导致keff的不确定度在0．5％左右，核素234U的裂变中子产额对keff不确定度的贡献最大，西安脉冲堆不同堆型下，由共振自屏计算得到的隐式敏感性系数差异较小，不同堆芯布置下计算得到的keff不确定度差异不大。

简介：本文通过理论推导，得出在考虑空气粘滞阻力的情况下，用气垫导轨测重力加速度的实验近似公式，并给出重力加速度的修正项。

简介：用有限时域差分方法（FDTD）对比研究了下列二维光子晶体的带隙：第1组,半径r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第2组,半径为r=0.2μm圆柱,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm;第3组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.4μm;第4组,内半径r1=0.1μm,外半径r2=0.2μm,折射率n=4,晶格常数a=0.6μm,并且对每一组光子晶体进行挖孔操作,然后比较不同填充率对光子晶体材料的带隙的影响,以及同种材料和结构、挖孔对带隙的影响。对于紧密排列的二维光子晶体,挖孔会使带隙向长波方向移动;对于填充率小的光子晶体,或者环形柱二维光子晶体,中间挖孔不影响带隙的范围。

简介：界面氧化是热障涂层剥落失效的重要因素,基于粗糙界面热障涂层应力场的有限元分析方法与裂纹开裂准则,采用蒙特卡罗可靠性算法分析了界面氧化开裂概率。在此基础上,利用敏感性因子分析了各参数对热障涂层可靠性的影响,发现：开裂概率随界面振幅、TGO厚度、杨氏模量、热膨胀系数差和温度差的增大而增大,随着界面波长和断裂韧性的增大而减少。因此,减少热膨胀系数失配、温度差以及TGO厚度是提高界面氧化开裂寿命的可行方法。

简介：基于自适应光学系统中变形镜与哈特曼波前传感器的位置关系,分析了导致两者空间失配的主要影响因素,并以45单元自适应光学系统为例,进行了空间匹配仿真分析,结果表明:若以拟合精度相对偏差10％作为判据,则要求变形镜与传感器相对旋转不大于4°,x和y方向的相对错位不大于2mm.

简介：本文通过对伏安法测二极管特性实验中一个特殊现象的分析,提出了环境电磁波对实验的影响;通过对实验现象的深入分析,能够提高学生观察问题和分析解决问题的能力.

简介：文章介绍了用光学信息论的熵方法，在固定条件下，通过定量计算同一被摄物，在散乱射线不同的情况下，ｘ射线照相底片的信息量。而有效地评价散乱射线对底片象质影响。

简介：通过测定扭摆在不同摆长和不同扭转角度下金属丝的切变模量和长方体铁块的转动惯量,研究了扭转角度和摆长对实验结果的影响,结果表明,摆长和扭转角度大于某一数值时,可以保证较好的实验测量精度和合理的实验时间。

简介：利用麦克斯韦函数描述空间等离子体能量分布特性，计算获得了空间等离子体中电子和离子充电电流密度、二次电子和背散射电子发射系数，并基于充放电平衡方程，建立了表面充电电位的计算方法。研究结果表明，二次电子和背散射电子在卫星表面材料Kapton的充电电位中约占25％。

简介：为提高铁电薄膜的电性能,建立了一个相场理论模型,系统研究了斜切基底对铁电薄膜电畴结构及电学性能的调控机理。利用该模型,分别研究了PbTiO_3在平面基底和倾角为2°,4°,6°SrTiO_3斜切基底上的电学性能。模拟结果表明：生长在斜切基底上的铁电薄膜中的应力分布、电畴结构及畴翻转不同于生长于平面基底上的铁电薄膜。在斜切基底的束缚作用下,铁电薄膜内靠近斜切台阶处产生了应力集中,产生的非均匀应变是改变铁电薄膜性质的主要因素。在台阶高度固定的情况下,PbTiO_3铁电薄膜矫顽场随斜切基底的倾角增大而变大,极化稳定性增强。

简介：氢水液相交换（LPCE）是从水中分离氢同位素的一种重要方法，是指氢气与液态水之间进行的氢同位素交换反应，可用于含氚重水提氚和升级，含氚废水处理及重水生产等，LPCE反应实现的关键是疏水催化剂的制备。从第一种疏水催化剂制备到现在，已经有超过1000种催化剂。尽管如此，各国研究的重点主要集中在如何提高催化剂疏水性，以延长使用寿命，提高催化活性，而一些常规催化剂更关注的基础问题几乎没有涉及，如Pt粒径大小、价态分布等Pt微观结构与催化剂活性的关系。这些问题的解决对改进催化剂制备工艺，进一步提高催化剂活性有重要作用。