简介：利用拉曼光谱研究了He^2＋注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系，并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型，模拟了室温及723，873，1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明：随着注量的增加，晶体样品无序度增大，样品的拉曼特征峰强度减小。

简介：根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在不确定度时的线性拟合方法。分析表明,两种方法的计算结果一致,但复杂程度不同,实际应用时采用先求平均值再线性拟合的方法更好。同时,还分析了不确定度评定过程中相关性产生的原因,给出了通过解析表达式判断相关性的方法。分析表明,应用协方差传播律,由相关性引入的估计协方差可以用独立参数的不确定度来表达。最后,给出了两种方法在实验数据处理中的应用。

简介：对一款国产CMOS图像传感器进行了不同射线粒子的辐照试验,研究了质子、中子和γ射线等粒子辐照对器件饱和输出电压的影响.试验结果表明,在γ射线和质子辐照下,器件的饱和输出电压显著退化,而在中子辐照下,饱和输出电压基本保持不变,表现出较好的抗中子能力.对γ射线和质子辐照下器件饱和输出电压的退化机理进行了分析,饱和输出电压的退化主要受电离总剂量效应影响：随着辐照累积剂量的增加,饱和输出电压逐渐减小且在退火中的变化趋势与CMOS图像传感器像素单元的饱和输出信号变化趋势一致.辐照导致饱和输出电压退化的主要原因是光敏二极管周围的LOCOS隔离氧化层内产生了大量的辐照感生电荷.

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：TH74297021365光学件质量对高倍显微物镜成象的影响=Effectofopticalelementqualityonhigh-powermicroscopeobjectimaging[刊,中]/戈良辉//江西光学仪器.—1996,(1).—14—15通过光学件质量对高倍显微物镜成象的影响分析,指出了光学件影响高倍显微物镜成象质量的主要因素,为高倍显微镜上批量,上质量指明了方向。(严

简介：TH74296010666基于光点偏转方法的原子力显微镜的研制=Atomicforcemicroscopebasedonopticalbearmdiflec-tionmethod[刊,中]/章海军,黄文浩(中国科技大学精密机械与精密仪器系。安徽,合肥(230026))∥光

简介：TH74297010647液中测量型原子力显微镜的研究=Thestudyontheatomicforcemicroscope(AFM)inliquid[刊,中]/刘庆纲,叶声华(天津大学精密测试技术与仪器国家重点实验室.天津(300072)),清野彗,同徹

简介：TH741.895021336一种带三维坐标测量的新型万能工具显微镜(108J)=Anewtypeuniversaltoolmaker’smicroscopewith3Dcoordinatemeasurement[刊,中]/施召贤(上海光学仪器厂)//现代计量测试.—1994,(6).—9—11提出了一种带三维坐标测量的新一代万能工具显微镜的构想,在结构方面打破了传统万能工具显

简介：利用同步辐射X射线形貌术研究晶体缺陷．是近年来发展起来的一种优良的实验方法．本文在研究LNP等晶体缺陷的同时，对这种实验方法进行了系统的探讨，讨论了散射光的消除、焦距的选择、样品的透明度与厚度、曝光的时间、底片的冲洗答问题．以及在缺陷研究中对晶体衍射的劳厄斑点的选取依据．