简介：
简介：据媒体近日报道，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究人员使用以蓝宝石为衬底的GaN晶片，成功研制出GaN核电池原型器件。该电池采用30微居的Ni-63同位素作为能量源，开路电压为0．1V，转换效率为0．32％，电荷收集效率为29％。
简介：在国家863项目和中国科学院创新工程的支持下，中科院半导体研究所曾一平研究员带领的课题，采用自行研制的HVPE氮化物生长系统，通过在m面蓝宝石上磁控溅射生长薄层的ZnO缓冲层，进而外延生长获得了非极性GaN厚膜材料，该材料具有较低的位错密度，适合开发用于LED、LD等氮化物发光器件的衬底材料，同时对比实验表明，薄层的ZnO对于形成非极性GaN起到了至关重要的作用，
GaN metal-oxide-semiconductor field-effect transistors on AIGaN/GaN heterostructure with recessed gate
我国GaN核电池研究获得新进展
Eleetrolumineseenee Orientation in InGaN/GaN LED on Nano-patterned Sapphire by MOCVD
我国在非极性GaN材料研究中取得进展
Plasma-assisted molecular beam epitaxy of ZnO on in-situ grown GaN/4H-SiC buffer layers
