简介：

简介：在分析AIGaN／GaN沟道阱中电子迁移率、截止频率fT和噪声性能随电子气密度变化的基础上，研究了沟道电子态随电子密度的变化。发现在高电子密度下电子会向量子限制较弱的退局域态转移。同时还经由热电子隧穿而跃迁到表面态。在低电子密度下，沟道阱产生畸变而蜕化为三维态。运用这一电子态转换模型解释了输运噪声特性随电子气密度的变化。最后指出剪裁沟道右势垒可以弱化高、低电子气密度下输运和噪声性能的衰退。

简介：GaNmicrocrystallinegrainsweregrownbyhot-wallchemicalvapordepositiononSi(111)substrate.Thesegrainswithdiametersof2-4μmweredetectedbyscanningelectronmicroscopy.X-raydiffraction,Fouriertransformationinfraredtransmissionspectroscopyandphotoluminescencewereusedtoanalyzethestructure,compositionandtheopticalpropertiesofthesamples.TheresultsshowthatthemicrocrystallinegrainsarehexagonalwurtziteGaN,andthepropertyofthegrainswasgreatlyaffectedbythegrowthtime.

简介：Monolithicwhite-light-emittingdiodes（whiteLEDs）withoutphosphorsaredemonstratedusingInGaN/GaNmultiplequantumwells（MQWs）grownonGaNmicroringsformedbyselectiveareaepitaxyonSiO2maskpatterns.Themicroringstructureiscomposedof{1-101}semi-polarfacetsanda（0001）c-plane,attributedtofavorablesurfacepolarityandsurfaceenergy.ThewhitelightisrealizedbycombiningshortandlongwavelengthsofelectroluminescenceemissionsfromInGaN/GaNMQWsonthe{1-101}semi-polarfacetsandthe（0001）c-plane,respectively.ThechangeintheemissionwavelengthsfromeachmicrofacetisduetotheIncompositionvariationsoftheMQWs.Theseresultssuggestthatwhiteemissioncanpossiblybeobtainedwithoutusingphosphorsbycombiningemissionlightfrommicrostructures.

简介：对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15cm^-2的中子辐照后，器件的阈值电压没有发生明显变化；栅压较大时，辐照后的饱和漏电流变小，这与沟道电子迁移率降低和二维电子气2DEG的退化有关；当漏极电压小于200V时，器件的关态漏电流明显增加，表明中子辐照重掺杂P型栅发生的载流子去除效应弱化了P型栅在零栅压下对沟道电子的耗尽，但器件栅极反向泄漏电流在辐照后没有变化，说明其对中子辐照具有一定的免疫能力。

简介：<正>IMSResearch预计2011年LED封装市场增长1%,照明营收增长29%经过2010年60%的高速增长,IMSResearch认为2011年的GaNLED市场趋于平缓,仅增长1%至87亿美金。主要原因有:·占据60%GaNLED营收的背光市场增长比预期缓慢。IMSResearch预

简介：

简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：新兴市场碳化硅（SIC）和氮化镓（GaN）功率半导体预计将在2020年达到近10亿美元，推动力来自混合动力及电动汽车、电力和光伏（PV）逆变器等方面的需求。

简介：在Al2O3(0001）衬底上用MOCDVD方法进行了GaN的外延生长，通过X射线衍射（同步辐射源）研究了GaN和Al2O3(0001）的匹配关系。结果表明，经充分氮化的衬底上，GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长：在Al2O3(0001）衬底未经氮化或氮化不充分时，不同程度地出现了其它三种绕<11-20>晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001）的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕<11-20>晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001）的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。

简介：基于陷阱的p-i-n的I-V特征紫外察觉者被介绍。它在不同温度被测量并且与变化分析了温度。设备的想象力因素在房间温度是2.09。最大的想象力因素在100点是2.14，它超过100衰退，并且最小的想象力因素在300点是1.26。前面的电压对温度的系数是有1个妈的前面的电流的-1.97mV/。基于两倍注射模型，在i区的深躺杂质激活精力是0.1343eV。

简介：利用MOCVD技术，分别在图形化蓝宝石衬底（PSS）、沉积有AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-A）和经过选择性刻蚀掉部分AlN的AlN薄膜的图形化蓝宝石衬底（PSS-E）上外延生长GaN。在高倍金相显微镜下面观察了生长的表面形貌，利用AFM测量了外延片表面的粗糙度，对比分析了三种样品（002）面和（102）面XRD的FWHM，然后对三个样品切片，SEM观察了三种样品的剖面图，最终将三种样品衬底的外延片制备成相同产品，对比分析了样品的LED芯片的光电参数。

简介：轧了射出二极管(LEDs)，薄AlInN层在堵住层(EBL)的电子前面插入了的基于的蓝光试验性地被学习。插入薄EBL能改进轻产量力量并且减少效率，这被发现与常规AlGaN对应物相比低垂。基于数字模拟和分析，当薄AlInN层被使用时，电、光的特征上的改进主要被归因于电子漏电流的减小，它在量井(QW)增加搬运人的集中。

简介：Inthispaper,theconductionband-edgenon-parabolicity(NP)andthecircularcross-sectionradiuseffectsonhydrogenicshallow-donorimpurityground-statebindingenergyinzinc-blende(ZB)InGaN/GaNcylindricalQWWsarereported.Thefinitepotentialbarrierbetween(In,Ga)NwellandGaNenvironmentisconsidered.Twomodelsoftheconductionband-edgenon-parabolicityaretakingintoaccount.Thevariationalapproachisusedwithintheframeworkofsinglebandeffective-massapproximationwithone-parametric1S-hydrogenictrialwave-function.ItisfoundthatNPeffectismorepronouncedinthewireofradiusequaltoeffectiveBohrradiusthaninlargeandnarrowwires.Moreover,thebindingenergypeakshiftstonarrowwireunderNPeffect.Agoodagreementisshowncomparedtothefindingsresults.

简介：文中对宜普电源转换公司（EPC）Buck转换器EPC9107进行参数测试与分析。测试结果表明,当EPC9107电源模块工作于开关频率1000kHz、宽幅输入电压12-28V时,输出电压恒定3.3V,输出电流约为0-16A,效率最高约为96.1%,功率密度约为14W·cm^-3,转换时间小于4ns,具有良好的抗干扰度和瞬态响应,纹波小于20mV。该模块的整体性能均优于当前硅基DC/DC电源模块。

简介：近年来，宽禁带纤锌矿结构半导体如ZnO、GaN、A1N及其合金等在微电子和光电子器件中的广泛应用，已成为半导体材料领域的研究热点，其中一个十分重要的课题就是这些材料所构成的异质结中的光学声子模及其电声相互作用。由于光学声子模对纤锌矿量子阱的理论性质有重要的影响。因此研究纤锌矿GaN／ZnO光学声子模性质具有十分重要的物理意义。

简介：摘要：本文涉及了一款基于GaN固态探测器的三光成像无人机吊舱装置，文章通过分析当前的紫外探测器的现有技术研发现状，以及紫外探测器在实际应用中的作用。指出该技术应用在无人机吊舱的重大作用。并以笔者参与的GaN固态基探测器的无人机吊舱进行了阐述，指出该技术对电力系统输电专业的实用价值。

简介：摘要随着氮化镓（GaN）基发光二极管的效率、亮度、寿命等参数的进一步提升和成本的持续下降，GaN基LED正在逐渐取代传统光源在通用照明、液晶显示器背光源等领域的应用。高压LED是一种集成式芯片，将一块芯片分割成数个互联的发光单元，使得LED在高压低电流的状态下工作，与同样的传统大功率LED相比，高压LED的电流扩展性能和发光效率得到了提高。

简介：

简介：一薄轧了带的电影，在2-inch-diameter蓝宝石底层上成年，被激光起飞分开。原子力量显微镜学(AFM)和双水晶X光检查衍射(XRD)被采用了描绘表演在起飞过程前后轧了。分离和转移过程不改变水晶质量，这被表明显然轧了电影。InGaN/轧了multi-quantum-wells(MQW的)结构以后在分开的蓝宝石底层上是成年的并且与由使用PL和XRD光谱在一样的条件下面在常规底层上成长那相比。