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  • 简介:摘要随着世界能源产业的不断发展,人们更加重视可持续能力的开发利用,例如风能、水能、太阳等。在利用太阳能进行发电的过程中,还存在着一些问题,太阳是一种发电情况很不稳定的新能源,需要结合新技术解决这一难题。因此,本文针对蓄电池储能在并网光伏发电系统中的设计应用展开分析和探索。

  • 标签: 蓄电池 并网光伏 发电系统
  • 简介:采用高频光电导衰退法测试了太阳电池用p型多晶硅片的少数载流子寿命,细致分析了光注入强度对测试结果的影响。结果显示光电导衰减曲线在靠近尖峰处较宽的时间区域内并按非指数规律快速衰减,当信号衰减到一定程度后逐渐接近指数规律,且随着光注入强度增大,少子寿命的测量结果显著减小。从非平衡载流子的表面复合效应和晶界复合效应出发,对导致该现象的物理机制进行深入解释。

  • 标签: 多晶硅 少子寿命 光电导衰退法 表面复合
  • 简介:采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt铁电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3铁电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁存储器是不利的。

  • 标签: 铁电薄膜 缓冲层 界面 极化对称性破缺
  • 简介:量子点是一种新型的低维半导体材料,其非线性光学效应是人们关注的重点。本文主要针对球形壳核量子点中的非线性光学吸收特性展开讨论,拟运用了有限差分方法求解球形壳核量子点中杂质态的能级与束缚。进一步采用密度矩阵法和迭代法获得系统光吸收系数表达式,分析形壳核量子点中的非线性光吸收系数影响因素。研究结果表明:球形壳核量子点中电子的9个低能级都会随着量子点半径R的增大而降低。在考虑加入杂质时,能级会降落得更快,并且引起能级排序之间的变化,从而导致束缚能级排序的变化。对于固定的径向量子数而言,我们发现相邻能级之间的能级间隔会增加,这导致了吸收峰谱线发生蓝移。此外,总的光吸收系数的强度随入射光强度的变化明显发生改变。当入射光强度增大时,不管是否考虑杂质,总的吸收系数在急剧地减少。当入射光强度达到一定值时,吸收峰达到饱和。当入射光强度超过这个临界值,吸收谱线会被分裂成两个吸收峰。

  • 标签: 球形量子点 有限差分法 非线性光学 光吸收系数
  • 简介:利用层接层自组装方法,将Keggin型多酸(PW_(12))和染料中性红(NR)制备成复合膜材料.采用紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、扫描电子显微镜(SEM)和循环伏安法(CV)等手段对复合材料的形貌和致变色性能进行了表征.复合膜材料呈现出良好的致变色性能,其光反差可达6.0%,着色效率高达14.6cm^2/C,着色与褪色时间分别为14.6和16.9s.而且,复合膜实现了深粉色、淡紫色和深紫色的可调变颜色变化.

  • 标签: 电致变色 多酸 中性红 层接层自组装
  • 简介:摘要在社会生产生活水平逐渐提升的趋势下,对于电力资源的需求量也在上涨,只有增强供电服务质量,才能满足用户的个性化用电需求。装表接电是当前电力建设中关键工作,其工作质量与用户的用电稳定性、安全性密切相关,同时也关系到电力企业的经济效益。由于多方面因素的影响,会导致错误接线问题出现在装表接电工作当中,不仅会造成电力资源的严重浪费,而且威胁用电安全。本文将对装表接电工作中的错误接线问题及原因进行分析,研究窃问题的主要危害,探索装表接电工作中的防窃管理措施。

  • 标签: 装表接电 错误接线 防窃电 管理
  • 简介:摘要太阳作为新兴能源,具有无限性的特点,合理运用太阳能进行光伏发电可以将太阳光转化为电能供人们使用。而在光伏发电过程中,电气自动化发挥着重要作用,有利于提升太阳的利用率。通过研究电气自动化在太阳光伏发电中的应用,有助于实现资源的可持续发展,对于能源保护具有深远意义。

  • 标签: 电气自动化 ?太阳能 ?光伏发电
  • 简介:阐述了基于EDA技术的带异步复位和计数使控制的8位二进制减法计数器设计,设计通过MAXplusII编译和仿真,并通过EDA6000实验开发系统的验证。

  • 标签: 电子设计(EDA) 计数器 编译 仿真
  • 简介:采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12(BIT)薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。

  • 标签: BI4TI3O12 铁电薄膜 Z-SCAN 三阶非线性光学
  • 简介:研究了钙钛矿太阳电池材料CH3NH3PbI3(CH3NH3=MA,MAPbI3)的输运特性,理论分析了有机分子MA对晶格结构的影响。发现:MA沿[110]方向排布且近邻MA分子相互垂直的构型最稳定,将此构型作为MAPbI3的标准结构,使用第一性原理方法,通过分析晶格的振动散射或声子散射,计算了MAPbI3材料中形变势散射主导的载流子迁移率,分析了材料的输运特性,讨论了载流子迁移率理论计算值和实验值之间的差异。

  • 标签: CH3NH3PbI3 几何结构 形变势散射 迁移率
  • 简介:采用密度泛函理论方法,在B3LYP/6—31G(d)理论水平下,计算了45种苯砜基羧酸酯化合物的量子化学参数。经多元线性回归分析,得到描述此类化合物对发光菌急性毒性的模型:-lgEC50=3.02+6.24EHOMO-0.091μ-0.006P+1.22q(1)-6.67q(10),其中R=92,rsdj^2=0.82,F=42.0,q^2=0.79.通过对模型进行分析,得到如下结论:苯环和酯基取代基的电负性越大,分子体积越小,毒性越大.该研究为探讨此类化合物急性毒性的机理奠定了理论基础.

  • 标签: 苯砜基羧酸酯 急性毒性 密度泛函理论 QSAR
  • 简介:制备了金属-铁层-绝缘层-半导体(Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS)二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明:该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h(相当于常温下测量60d)后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

  • 标签: 铁电存储器 MFIS 存储窗口 疲劳 保持 BNT
  • 简介:测量了ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Cr2O3,ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2和ZnOTiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其性能参数。研究了MnO2、Co2O3和Cr2O3掺杂对ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO压敏陶瓷电子密度和性能的影响。实验发现:ZnO-TiO2-Bi2O3-CuOCr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均最高,其压敏电压最低;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2压敏陶瓷晶界缺陷态的电子密度最低,其压敏电压比前者高;ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-Co2O3压敏陶瓷基体(晶粒内)的电子密度最低,其压敏电压较高;而ZnO-TiO2-Bi2O3-CuO-MnO2-Co2O3-Cr2O3压敏陶瓷基体和晶界缺陷态的电子密度均较低,其压敏电压VT和非线性系数ɑ最高,漏电流IL最小。

  • 标签: ZnO基压敏电阻 金属氧化物掺杂 缺陷 电子密度 电性能
  • 简介:TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]/王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅//红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)

  • 标签: 红外技术 毫米波 红外热诊断 红外热像仪 红外探测器 红外焦平面阵列
  • 简介:跟踪系统采用光电经纬仪工作模式,采用Kalman预测滤波技术对计算机接受到的传感器数据(包括电机编码器反馈信号、电视脱靶量信号)进行滤波预测,提供准确的位置、速度信息,进行有效预测外推,可以有效提高跟踪系统对机动目标的跟踪性能,实现对目标的稳定跟踪。

  • 标签: KALMAN滤波 预测技术 跟踪系统 控制技术 应用 反馈信号