简介：文献[1]提出了一种基于HF返回散射和斜向探测联合探测电离层,融合两种探测结果联合反演电离层参数的新方法,该反演方法基于特定的电离层QP模型和均方误差最小准则,采用全局搜索的方法确定QP模型参数。针对该联合反演方法进行了改进,分析了不同采样方式对于反演结果的影响,通过优化频点选择提高了反演的稳定性和准确性,并引入了粒子群优化算法进行搜索,大大缩短了反演的时间。仿真结果显示,这种改进后的联合反演算法具有更高的效率和实用性。

简介：SOI器件具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等体硅器件不具备的优点，SOICMOS技术开始用于深亚微米高速、低功耗、低电压大规模集成电路应用？但SOI技术还面临浮体效应、自加热效应等问题的挑战。作为SOI模型国际标准，BSIM3SOIv1．3提出了新的模型参数解决方案。BSIMPDSPICE器件模型是基于物理意义的模型，是在体硅MOS器件模型工业标准（BSIM3V3）的基础上开发而成，BSIMPD针对SOI固有的浮体效应引起的动态特性，自加热和体接触提出相应的模型参数：

简介：在Pro／E环境下，介绍了运用Pro／E面向层次结构的自顶向下的设计功能，从产品的结构层次入手，以骨架模型为传递载体，结合独立零件的参数关系完成可搬移机箱的三维模型设计。实践证明采用Pro／E自顶向下的设计方法提高了设计效率和设计的准确性并为以后的变形设计提供了方便。

简介：在探地雷达应用中，确定地下目标的介质参数具有重要意义。为了对探地雷达地下目标参数进行估计，提出了将探地雷达偏移处理和时域目标参数反演结合起来的方法，该算法首先通过偏移处理，确定目标的位置和分布范围，然后采用FDTD和随机逼近优化法进行迭代运算估计目标参数。与传统基于频域的方法相比，该方法具有易于实现、处理速度快等优点。并且通过对模拟数据的处理，验证了该方法的可行性。

简介：用统计学中样本空间排序法对定时截尾可靠性鉴定试验方案中平均故障间隔时间（MT—BF）的统计推断方法进行了理论推导，并给出了置信下限和置信上限系数的表达式，对GJB899—1990中的表达式提出了修订建议。

简介：从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏感参数，对100krad（Si）总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化，并对得到的模型参数进行验证。结果表明，该方法所提取的模型参数准确有效，解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型（如BSIMSOI等）导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点，可用于评估辐射对SOI电路的影响。

简介：摘要FANUC系统数控机床在加工过程中，出现机床振动，导致加工效果达不到要求，通过对伺服进行调试，可以有效的改善机床的振动，提高加工效果。在调整的过程中，要研究增益与加减速的变化所带来的形状误差与振动之间的关系。从而有效的降振提高加工质量。

简介：提出了一种基于HF返回散射和斜向探测联合探测电离层,融合两种探测结果联合反演电离层参数的新方法。反演方法基于特定的电离层QP模型和均方误差最小准则,采用全局搜索的方法确定QP模型参数和梯度参数。仿真结果显示,在引入随机误差的情况下,联合反演相比单一手段的反演算法具有更好的反演的效果,能够有效改善反演算法的稳定性。

简介：LowK材料具有较高的脆性，在芯片封装测试过程中容易被损坏，因而Cu／low—K的结构的引入对芯片的封装工艺提出了很大的挑战。文章中提出引线键合工艺中冲击阶段的近似数学模型，由计算机仿真结果证实该理论模型的合理性。通过对计算机仿真结果的分析得到优化的LowK芯片引线键合工艺参数设置范围，实验设计的优化结果表明本研究提出的计算机仿真优化方法是有效的。

简介：本文提出了一个标定鱼眼相机参数的框架,通过利用对已知空间位置的标定图案拍摄所得到的图像信息,迭代优化相机的刚性变化（旋转矩阵及平移）以及鱼眼投影模型中的参数.使用迭代最近点（ICP）的方法求出相机对于世界坐标系的刚性变换即旋转矩阵及平移量,利用l_1回归方法优化鱼眼投影模型的相关参数.通过模拟数据及真实数据的实验,本文的算法所得结果可以直接用于校正后图像的拼接.

简介：摘要目前航空空心叶片热成形的工艺参数选择不够合理，使得叶片成形质量欠佳。由于板料较厚且属于加热成形范畴，使得板料的起皱缺陷和拉裂缺陷不容易发生或不明显，而叶片成形后的厚度不均匀和回弹缺陷突出。因此为了深入了解成形工艺参数对叶片成形质量的影响规律，本章以成形时主要工艺参数板料加热温度、摩擦系数、压边力和保压时间作为因子变量，以叶片成形后的最小厚度值量和最大回弹量（Z向）为目标变量，通过控制变量法来研究空心叶片背弧成形时的最佳工艺参数区间，为后续的需要最佳的工艺参数组合提供基础。