简介：本文叙述了表面组装技术（SMT）对PWB的要求，表面组装元器件（SMD）封装密度提高与引出端增多，使PWB导线宽度/间距/导通孔孔柱向微细化的积层多层（BUM）印制板发展。功率器件组装用的PWB，要求具有更高的热导率，直接键合铜箔（DBC）的陶瓷覆铜板与金属基覆铜板，将是高热导率PWB的主要基材。最后指出，生产无污染的“绿色型”PWB代替目前最常用的对环境有污染的阻燃型PWB，将是近期的发展方向。

简介：新能源整车厂对2016全年乐观,但上半年或是政策空档期：从几家整车厂销售人士了解到,对2016全年展望仍为乐观,维持50万辆的销量预计,较2015年成长60-70%,增长动力来自电动物流车、8-10米电动客车以及北上广深市场的新能源汽车需求。然而,明年上半年或是政策空档期,仅北京、成都等少数城市明确2016年地补政策延续,其他大多数地区具体细则尚未落地,或影响明年上半年的行业需求。

简介：记者从有关方面了解到、由信息产业部与发改委、商务部、海关总著、工商总局、质检总局、环保总局共同起草的《电子信息产品污染控制管理办法》在2005年底向WTO／TBT通报工作完成后，近期有望作为法规正式出台，该标准也被称为电子产品的环保“绿卡”。

简介：备受社会瞩目的“电子防污法”——《电子信息产品污染控制管理办法》（以下简称办法）制订工作又有最新进展。记者今日从信息产业部获悉，作为该办法重要支撑的三个电子信息产品污染控制行业主要标准，目前已进入了最后的程序制定阶段。

简介：基体催化镀金既不是转换性镀金也不是自催化镀金，其镀层和工艺特性具有重要的应用前景，本文就该项技术问世十年来的相关国外文献进行了综述，就基体催化镀金原理，镀液中CN－的深刻影响，化学镀镍基体的影响等得要因素开展了较详细的讨论。

简介：本文根据2004年国际功率半导体器件与功率集成电路会议(ISPSD’04)的论文内容对功率集成电路制造技术的近期发展进行了简单的概述。

简介：今年以来，铜陵经济技术开发区发挥区位优势、政策优势、人力资源优势和产业优势，着力打造PCB产业园，PCB产业园各项建设高效推进。

简介：近日，中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成（DDS）芯片研制中取得突破性进展，采用0．35μm常规互补金属氧化物半导体电路（CMOS）工艺，研制出合成时钟频率达2kMHz的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成（ROM-LESSDDS）高速芯片。目前，这种CMOSDDS结构方式的芯片速度指标处于国际同类芯片领先地位，此前国际上报道的类似芯片的合成时钟频率仅为1．2kMHz。

简介：IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。

简介：介绍片式多层陶瓷电容器(MLCC)电极贱金属化(BME)涉及的主要技术及Ni内电极MLCC取得的进展。Ni内电极MLCC的可靠性已经达到空气烧结Ag／Pd内电极的水平。Ni内电极MLCC技术的成熟将使MLCC大容量、低成本、小型化取得更大进展并将取代部分Ta和Al电解电容器。

简介：

简介：综述第一篇《电力电子和电机传动的最新进展（二）》是博斯博士来华讲学所做学术报告的第二部分，在第一部分电力电子基础上，主要对电机的发展趋势做了分析预测。第二篇文章展望电力电子在未来汽车行业前景，介绍了赛米控的SKAI模块。当环保和新能源受到越来越多地引起大家注意的时候，混合动力汽车必将引领潮流；以此为平台开发的各种模块，也必将受到大家的关注。

简介：综合评述诸如肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率JFET、BJT、GTO、GCT以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的最新进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；文章还对碳化硅器件在电力电子领域特别是电力变换器方面的初步应用及开发情况也做了简略介绍。

简介：本文闸述了固态电动机软起动器在电动机起动控制方面的进展，从最初的电压斜坡起动疗式、电压斜坡附加脉冲突跳起动力式，发展到电流斜坡起动方式，转矩斜坡起动方式。

简介：