简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：2005年无源元件巨头EPCOS在中国市场的一系列本地化举动引人注目。继9月份与厦门信达建立合资企业（厦门EPCOS有限公司），生产应用于诸如工业电子和不间断电源的铝电解电容器后，11月中旬，EPCOS又宣布与北京中石生产EMC滤波器的合资企业（中石爱普科斯）。

简介：根据目前移动通信体制的特点和手机的工作模式，给出了一种用于地震灾害中搜索被掩埋人员的救援系统的设计方法。该系统利用伪基站仿冒网络端要求被掩埋人员随身携带的手机发送IMSI，然后通过统计IMSI来获得被困人员的数量。结合天线方向图下倾技术和AOA定位方法，对信号源进行定位从而间接获取被压埋人员的位置信息。

简介：

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：还有什么问题？小孙瞧了瞧他的单子,说：＂第四个问题,厂里有一台带式输送机,从0Hz开始启动时,完全启动不起来,大约到10Hz时才突然动起来了,因为加速度太大,传输带上的半成品,常常晃动,有没有办法解决？＂

简介：在分析我国变频器发展历史的基础上，对目前我国变频器参数大量使用对电机用户造成选择困难的原因做了深入的探讨。指出了只有把变频器与电机看作传动整体，对电源形成绿色优化目标，对传动轴作性能优化，才可以得到用户满意、操作简单、控制“傻瓜”化的现代化传动系统。

简介：新型CoolMOSTM650VCFD技术为具有高性能体二极管的高压功率MOSFET确立了一个新基准。新型器件综合了多方优势，包括高达650V阻断电压、极低的Rdsno、容性损耗低、同时还改善了体二极管在反向恢复过程，特别是软硬转换应用时的坚固度。随着性能的提高，将介绍列入参数表的Qrt和trt的最大值。本文还研究了改善体二极管坚固度的相关因素。这干叶，具有快恢复体二极管的新型超结器件系列的优点，在HID半桥拓扑中尤为突出。它也可用于DPAK封装。

简介：1引言变频器中过流保护的对象主要指带有突变性质的、电流的峰值超过了过流检测值（约额定电流的200％，不同变频器的保护值不一样），变频器则显示OC（OverCurrent）表示过流，由于逆变器件的过载能力较差，所以变频器的过流保护是至关重要的一环。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：2006年1月21日，北京电力电子学会第三届理事会第二次常务理事（扩大）会议在北京金自天正智能控制股份有限公司召开。会议由理事长葛钢主持。他充分肯定了三届理事会成立以来学会工作的成绩，对全体理事对学会工作的支持表示衷心的感谢。秘书长周亚宁向会议作了工作汇报。会议就学会会刊《电力电子》的办刊问题、增补理事、2006年工作等议题进行了讨论，形成如下决议。

简介：欧司朗光电半导体日前推出T038封装的优化型蓝光激光二极管，该产品是同类产品中尺寸最小的二极管。该项成就使世界向着迷你投影机的目标又迈进了一大步，将迷你投影机集成到手机、数码相机等移动设备中指日可待。

简介：本文阐述以小型、低电感的功率模块，获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率，本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC（碳化硅）二极管。作为示范，苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率，功率密度高达8．5kW／l（85W／cm3），高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。