简介：Ⅲ族氮化物半导体材料AlN单晶可应用于蓝色、紫外发光元件和耐高压、高频元件，作为宽带隙化合物半导体材料在市场潜力巨大的蓝色、紫外和白色LED和耐高压、高频电源IC等方面应用前景非常好。
日本藤仓公司开发高质量AlN单晶
