简介：以圆台型容器为例,定量分析讨论了容器器壁所受到的压力和容器内液体所受到的重力两者之间的数量关系.

简介：从火焰传播速度、燃料消耗量、燃烧时间及着火特性参数等方面，介绍了目前国内外可燃液体浸入多孔介质中燃烧特性的研究现状，结合作者对可燃液体浸入多孔介质中着火特性参数的研究，指出了其进一步的研究方向及研究结果的应用价值。

简介：Wright和Borkman得出n=4,6的偶数离子与对应n=5,7的奇数离子具有相近结合能,这说明偶数氢团簇离子应该存在。研究了用相干法探测Hn^＋团簇离子的方法。利用Penning阱探测到了H4＋、H6＋,通过分析得出结论：H4^＋、H6^＋与H5^＋、H7^＋生成机制是相同的,都可经碰撞合成反应获得;H4^＋是以H3^＋为核的核构型结构。

简介：根据59式坦克发动机中几组易磨损的摩擦副,选用相应的材料,经离子渗硫处理后,测定了相应的摩擦学性能;又对59式坦克变速箱的四挡主动齿轮和侧减速器主动轴齿轮离子渗硫处理后,进行了实车考核.2组试验结果都表明,经渗硫处理后,零件和试样的摩擦学性能大大提高,说明离子渗硫技术能够应用于装甲车辆,且具有很大的军事效益和经济效益.

简介：为研究火药燃烧等离子体的导电特性,建立了火药燃烧等离子体电导率模型,并计算了不同条件下火药燃烧等离子体电子密度和电导率,揭示了其随电离种子、K2CO3碱金属组分含量、火药力和装药量的变化规律。结果表明：所添加电离种子的第一电离势越小,火药燃烧等离子体电子密度和电导率越大;随着K2CO3碱金属组分含量和火药力的增加,电子密度和电导率也会相应增大;随着装药量的增加,电子密度和电导率会逐渐减小,且维持时间也有所缩短。

简介：为研究磁约束下低气压放电冷等离子体在空心圆筒结构内的传热与流动特性,采用漂移扩散近似建立了低气压电感耦合等离子体模型,研究磁约束情况下不同外加电源功率和气体压强对等离子体运动的影响。结果表明：在磁约束下,电子主要集中在圆筒的中心区域,电子密度由内至外逐步递减,筒内电子温度和密度均随着外加电源功率的增大而增大;在低压下,由于气体粒子之间的碰撞影响,筒内电子温度随着压强增大而降低,而中性气体的温度随着压强增大而升高。

简介：为提高45CrNiMoVA钢表面的耐磨性能,采用HEPJet超音速等离子喷涂系统在其表面制备了Mo涂层,通过场发射型超高分辨率扫描电镜(FieldEmissionScanningElectronMicroscopy,FESEM)、X射线能量谱仪(EnergyDispersiveSpectrometer,EDS)、电子扫描电镜(ScanningElectronMicroscopy,SEM)及高精度三维形貌仪对比分析了涂层与基体的摩擦磨损性能及磨损机理,并对涂层磨损率的影响因素进行了研究。结果表明:轻载荷(试验载荷为5N)、低频率(滑动频率为5Hz)下,涂层的磨损率略低于基体,其磨损机理为粘着磨损和氧化磨损,而基体为粘着磨损、氧化磨损和轻微的磨粒磨损;重载荷(试验载荷为20N)、高频率(滑动载荷为20Hz)下,涂层的磨损率约为基体的50%,磨损机理同样为粘着磨损和氧化磨损,基体则表现为严重的磨粒磨损和氧化磨损;涂层磨损率随载荷的增加呈先上升后下降的趋势;涂层磨损率随滑动频率增大而上升,但上升速度不一,这与摩擦生热量对氧化膜生成速度影响程度密切相关;涂层磨损率随时间延长而稳定上升。

简介：为选出合适的辅助离子源进行沉积制备c-BN薄膜,通过对高能和低能辅助镀膜离子源的重要性能进行比较研究之后,在单晶Si基体进行应用制备立方氮化硼薄膜,用红外光谱(FTIR)及光电子能谱(XPS)分析技术,对不同辅助离子源制备沉积的薄膜,进行比较表征,得出结论:低能辅助镀膜离子源,比高能辅助镀膜离子源更适用于制备立方氮化硼薄膜.

简介：针对TNT废水降解处理难以及现有的各种物理、化学、生物处理方法存在的不足,开展了基于气液固三相高压脉冲放电技术的TNT废水处理研究。给出了高压脉冲放电处理TNT废水的作用机理,设计了三相反应器和脉冲功率电源,并进行了TNT废水处理试验。试验结果表明:利用三相反应器可以实现对TNT废水的降解;随着充电电压、放电次数和溶液温度的增大,TNT降解率会提高;随着TNT初始浓度的增大,TNT降解率会降低。

简介：采用超音速等离子喷涂工艺制备了氧化铝涂层，借助热喷涂粒子状态在线监测系统Spraywatch-2i、扫描电镜（SEM）和显微硬度仪（HVS-100）研究了电弧功率及其匹配对氧化铝粒子温度、速度及涂层组织性能的影响。试验结果表明：粒子的温度、速度随功率的增大分别呈持续上升与先上升后下降的趋势；在相同功率下，电流对粒子速度、温度的影响要大于电压对其的影响，温度、速度的变化趋势与电流变化趋势一致，随着电流的增大、电压的减小，这种变化逐渐趋于平缓，60kW为超音速等离子喷涂制备Al2O3涂层的最佳功率参数。

简介：介绍了Penning阱存储离子的探测原理以及离子谱的探测灵敏度与品质因数的关系理论分析结果。在实验中考虑到存在最小阈值的情况下对得到的离子谱进行分析,结果表明：离子谱探测灵敏度与谐振回路Q值的平方成正比关系。