简介:目的研究义眼座植入术后治疗上睑凹陷的手术方法及疗效,评估高密度聚乙烯及或羟基磷灰石复合人工骨眶内植入的安全性及有效性.方法应用眼眶三维影像检查和突眼计测量的方法,分析上睑凹陷发生的原因,测量义眼座植入术后眶内容及眼眶容积改变,以高密度聚乙烯或羟基磷灰石复合人工骨作为填充材料,对26例义眼座植入术后上睑凹陷的患者施行整复治疗,并进行比较研究.结果手术后2wk内,19例上睑凹陷病例术后均得到了明显的矫正,外观理想;5例残留轻度上睑凹陷;2例仍有中度上睑凹陷,经再填充后得到了矫正.随访6个月~4年,3例残留轻度上睑凹陷.复合人工骨眶内植入后随访6个月以上,无感染、排异及移位.结论对义眼座植入术后上睑凹陷的整复手术可获得满意疗效.高密度聚乙烯或羟基磷灰石复合人工骨眶内植入是安全及有效的.
简介:我科收治的患眼无视功能患者25例,保留自体巩膜壳,行羟基磷灰石义眼台植入术,现报告如下。
简介:目的探讨低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效.方法采用JAM-II型多功能半导体激光治疗仪(激光物质为GaA1As,激光波长650nm)对22例不同程度的义眼座暴露患者进行激光照射治疗,并将结果与既往采用药物及手术治疗的20例义眼座暴露患者比较.结果激光组22例全部愈合(100%);药物及手术组中轻、中、重度的愈合率分别为83.3%,63.6%和0.经采用X2检验之四格表精确检验法处理,2组间轻度患者的愈合率在统计学上差异无显著性意义(P=0.545),而2组间中度和重度患者的愈合率在统计学上差异有显著性意义(P<0.05).结论低功率半导体激光治疗羟基磷灰石义眼座暴露的疗效优于药物及手术方法.可用于预防及治疗羟基磷灰石义眼座暴露.
简介:糖尿病视网膜病变(DR)是作为一种常见的糖尿病并发症,对其发病机制的研究一直是关注的焦点。经典的糖尿病视网膜病变的发病机制假说集中与多元醇通路的异常、蛋白质非酶糖基化产物的堆积、蛋白激酶C及氨基己糖途径有关。聚腺苷二磷酸核糖聚合酶(PARP)作为统一机制中的一个关键分子,与DR发病机制及其防治密不可分,对其进行适当干预,可成为DR治疗的重要方法之一。